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在F12P5 Subfab作的實驗中(圖八)，先測AMHS 的衰減更為有效。 圖十、F12P5位於stocker旁的CDSEM也受到5k Hz>3.5mG的磁場干擾，採用隔磁包覆後便正常運作
(HID389 power panel)變電箱外的磁場，於相同位置
至於理論的計算如下：
再分別將不同層數的磁場防護貼板和鋁箔紙貼包在電
屏蔽效果 Shielding effect (SE)=A+R
磁場分析儀的探棒(probe)外，單一層的磁場防護貼
A是吸收absorption，R是反射reflection，
板和鋁箔紙厚度各是0.12mm和0.01mm，由結果(圖
九)可看出鋁箔紙相對於磁場防護貼板在高頻率磁場 在近場距離內磁場優勢

圖八、用AMHS (HID389 power panel)變電箱做磁場防護貼板和鋁箔紙貼隔磁測試

SE=A+R=8.69(t/δ)+20 log|Zw/4Zs|[2] 18=20log(Bin/Btran)
Zw： 自由空間的電磁波阻抗 Bin=入射磁場(10mG)，Btran=穿透磁場。
Btran=1.3mG
spatial impedance=2πfμ o r
Zs： 屏蔽材料的電磁波阻抗material 所以不管經由實驗或理論計算結果來看，將磁場
0.5
impedance=(2πfμ/σ) =(2πfμρ) 0.5
圖九、用AMHS (HID389 power panel)變電箱做磁場防護貼板和鋁箔紙貼隔磁測試結果 防護貼板和鋁箔紙貼包裹在SEM真空腔體四周，的確
t： 屏蔽材料厚度 可將干擾不同頻率的綜合磁場降低至SEM對環境磁場
What is Shielding type, for example: δ： [集膚深度skin depth，電磁波可穿透材料表 的要求規格3.0mG。
0.5

X- lm 2 : Al 3 means probe was covered with 面的深度(強度衰減1/e)]：(1/fμσ) 不光是F12P4 GPCD20的SEM，只要是在F12P4/
2-folded X-film and 3 layers Al foil f： 電磁波頻率 P5 Stocker附近受到>1kHz與>3.0mG磁場影響的

與μ： 真空中與屏蔽材料的磁導率 SEM，都採用了相同的被動屏蔽包裹方式，至今機台
μ o
X- lm 2+Al 4

X- lm 2+Al 3 σ 與 ρ：屏蔽材料的電導率與電阻率 都能正常運作(圖十)，而此種被動屏蔽包裹方式也通

X- lm 2+Al 2 r： 屏蔽材料與磁場源的距離。 過公司的專利申請，並且正在申請BKM。
Shielding type X- lm 1+Al 4, 15 Hz 中與鋁的磁導率=4π10 H•m , r=0.1m系因無塵室內 REFERENCES

X- lm 2+Al 1, 60 Hz

今以相關參數帶入計算：鋁的ρ=28.2nΩ•m，真空

X- lm 2+Al 3, 60 Hz & X- lm 2, 3.5k Hz
-7
−1

X- lm 1+Al 2, 60 Hz
的高頻電磁波為雜亂場到處分布，t=0.002cm鋁箔紙

X- lm 1+Al 1, 60 Hz
Al 4, 0.2k Hz
Al 3, 2k Hz 厚度。 參考文獻

X- lm 1, 5.2k Hz & Al 2, 3.6k Hz SE=4(A) 磁場防護貼板 +k[0.04(A)+22(R)] 鋁箔紙 =18dB， [1] 摩新國際科技所提供X-METAL高導磁軟板(含Ni,
Al 1, 5.5k Hz Fe等材料)的屏蔽數據。
No shielding magnetic eld (mG) k：修正因子：因磁場防護貼板和鋁箔紙貼只包覆
0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 Measured SEM真空腔體四周，但上下無覆蓋，若磁場為三軸均 [2] “雜訊防制對策入門”，廖財昌編譯，全華科技
分，故k=0.667。 圖書印行。
NEW FAB TECHNOLOGY JOURNAL http://nfjournal/ July 2011