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新象新知

圖二、場驅動翻轉型 MRAM 結構示意圖

Write line 1 Free Layer
i
Tunnal Barrier
Bit line
Magnetic
eld
Fixed Layer
Write line 2
i
Flux concentrating
cladding layer

lnlaid copper Isolation
intercon nects transistor
“o ”

Field drive MRAM

圖三、自旋力矩轉移型 MRAM 結構示意圖

Write and Read line
i

MTJ

Pass
transistor
STT MRAM
Spin Torque MRAM Cell uses current
through the MTJ to switch the
magnetization direction of the free layer.

向 ? 早期的做法是利用通電流的 轉移 (Spin Transfer Torque，簡稱
兩 條 導 線 (write line) 所 產 生 的 加 STT-MTJ) 圖三 ，STT 磁化的方式
自由層磁化方向
成磁場來磁化 圖二 ，稱作場驅動翻 較 Field drive 複雜，道理簡述如下：
如何改變 轉 (Field drive)， 這 種 磁 化 方 式 缺 物質磁性的方向是由電子自旋方向
點是耗能較高、不能高密度。目前 來決定 (spin up and spin down)，
至於如何改變磁性自由層磁化方 和未來的磁化方式是採用自旋力矩 在一般非磁性物質例如用來做電流

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