Page 20 - Vol.14
P. 20
Tech
Notes
技術專文
示。原廢水氨氮濃度某園區甚至高
圖一、自然界氮循環與失衡污染影響 表二、科學園區廢水處理廠廢水含氮物質濃度
達 1020 毫克 / 升,硝酸鹽氮大多
數小於 50 毫克 / 升;總氮主要來
園區 氨氮 mg/L 硝酸鹽氮 mg/L 總氮 mg/L
τ෩ 自氨氮濃度之貢獻,某園區亦高達
Ϗਠ 1100 毫克 / 升。如此可見,工業
෩ڿۢ 竹科 A園區 原廢水45.9-99.4 原廢水4.9-20.0 原廢水20.3-116
џ෩ձң џ෩ձң ႬੋϾ 放流水55.7-111 放流水2.3-4.7 放流水61.1-124 廢水氨氮污染之嚴重。
џ෩ձң
B園區 原廢水54-130(一期) 原廢水5-31(一期)
ႇӼ NH 3 +H + NH 4 + Ͼձң NO 2 -N Ͼձң NO 3 -N ȁષ 放流水47.6-107 (D01) 放流水10-38
ĩനፉԬκĪ ġġĩੌĪġġġġġġĩሢĪ ᗚձң ٴሗᄙ෩ ᗚձң ሗᄙ෩ ሗᢅ C園區 原廢水186-1,020 原廢水0.2-58.3 原廢水254-1,100
௷ݶޑᇅ ෛޑւң ෛޑւң ෛޑւң 放流水209-765 放流水8.4-44.0 放流水271-973 氨氮廢水處理
Ԭκޑ
中科 D園區 原廢水13.2-126 原廢水3.9-15.7 -
Ԭκෛޑ
放流水16.2-95.8 放流水4.3-22.9 方法簡介
Ҫ፵ ޑ෩ ෛޑ෩
ஆሗ ॶޑ ĩĪ
ႇӼ E園區 原廢水107-224 原廢水0.81-17.6 原廢水125-196
ᕋᎵᢅ ĩᓻᎵϾĪ 放流水104-207 放流水0.59-29.8 放流水80.1-205
整體而言,氨氮廢水處理方式可分
南科 H園區 原廢水60.2-90.4 原廢水3.1-14.1 -
放流水56.0-94.7 放流水1.3-15.0 為生物處理、物化處理、化學加藥
處理等三大方式,而其副產物或
圖二、各科學園區管理局氨氮法規管制時程與限值
I園區 原廢水2.1-55.9 原廢水6.8-19.6 -
-
放流水0.46-20.5 放流水4.5-17.3 終端產物大致可分為 N 2 、NO 3 、
(NH 4 ) 2 SO 4 、MgNH 4 PO 4 、NH 4 OH
ᕘߴဎᄈऌᆔ ಒΚࢳȈ75mg/L ಒΡࢳȈ30mg/L
等等。其常見之處理方式大約有以
2013/1/1 7/1 2014/1/1 7/1 10/1 2015/1/1 7/1 2017/1/1
圖三、氨氮廢水各種處理方式 下幾種方式,如 圖三所示。
Ɏ
Ɏ
Ɏ
Խऌġĩϵ֚Ī 125/75 mg/L 75/30 mg/L ණя 50/30 mg/L
ॏฬࡤϟ AnitaMOX (MBBR) N 2 (g)
ᆔښਣ Engineered Wetlands Fixed Nitrogen (s) 生物處理
Ɏ
Ɏ
Խࠓġĩϵ֚Ī 90/75 mg/L 75/30 mg/L 30 mg/L
Biological Nitrification Denitirification N 2 (g) 硝 化 脫 氮(AO、SBR 等 )、
(NH 3 and NH 4 ) (Aerobic) (Anoxic)
Ϝऌġĩϵ֚Ī 60 mg/L 60 mg/L 50 mg/L Anammox、生化混合、濕地法。
MBR Catalytic
Rotating Disc Sulfur Pellets
Ɏ
ࠓऌġĩϵ֚Ī 90/60 mg/L 60 mg/L Trickle Filter SBR
SBR
化學加藥處理
Ɏ
љᏳᡞٲཿġĩϵ֚Ī 75 mg/L 30/20 mg/L Chemical Break-Point Chlorination N 2 (g)
(NH 3 and NH 4 ) +
BP.C + ElectroChem Cell (N 2 ) (g) 折點加氯、電化學沉降、高級氧化。
Ɏ
ऌᏱ༫ୣԵЬίЬၿġĩϵ֚Ī 75 mg/L Ɏġུ೪ኆዀྦ/ ࢌԥኆዀྦ 30/20 mg/L
Membrance Contactor [H 2 SO 4 ] (NH 4 ) 2 SO 4 NH 4 OH+CaSO 4
Catalytic Oxidation N 2 (g)
Stripping Packed Bed (H 2 SO 4 ) Scrubber (NH 4 ) 2 SO 4 (ℓ)
(NH 3 ) ElectroChem Oxidation (N 2 ) (g) 物化處理
Distillation/Chemical Recovery Aqua Ammonia (NH 3 ) (ℓ) +
含NH 3 氣提與 NH 4 離子交換方式
針對放流水氨氮排放現況最新的調 Natural Zeolite Adsorption Caustic Regen (NH 3 ) Further Treatment
表一、半導體業常用之含氨氮化學品 Exchange Process 處理。
查結果顯示,高科技產業因使用大 (NH 4 ) Synthetic Ion-Exchange Sulfuric Regen (NH 4 ) 2 SO 4 (ℓ)
+
量含氮化學藥品,其氨氮排放總量 – NH 3 氣提:脫氣膜(液相交換)、
名稱 氨氮濃度ppm 現況處理方式 俗名 化學名稱
推估約佔全國總量之 34%。同時 氣提濃縮、觸媒燃燒、液膜法、
針對光電材料元件與科學工業區下 圖四、各種含氨氮廢水處理方式適用性及技術成熟度比較 電透析、循環冷卻脫氮、濕壁塔。
3,662
NMD-W (2.38%) 3,662 收集系統 顯影液 氫氧化四甲銨
NMD-W (2.38%)
顯影液
收集系統
氫氧化四甲銨
水道進行氨氮污染濃度進行分析, – NH 4 離子交換:離子交換、沸
+
發現單一廠其排放納管氨氮濃度最 石吸附、RO 分離。
ା ɚġ ϾᏱђ ɚġ ණଷ ɚġ آණӲԞ
高可達數百毫克 / 升,此結果顯示
ɚġ ᚕφһඳ ȁಆሗሢޑሰېѵ౪ ȁ1.ӲԞᇨԚੌЬ
高科技產業之氨氮廢水排放比例與 ɚġ ᘉђ෪ ȁ2.ђقಜዦӲԞ 早期廢水中使用較普遍的氨氮處理
ȁђԚҐା ɚġ ដ൭ϸ၍ 方式為折點加氯、硝化脫氮之生物
檢測值確實偏高,需要進行妥善管 ɚġ ҢޑϾ෩ c1.ߒ೪ԚҐၷା
Ԛዤ࡚ ȁ2.ђقಜዦӲԞ 處理;但,近幾年來因應氨氮廢水
制。因此,環保署發布「晶圓製造 ȁխӵ८ᑗτ
ɚġ ROϸᚕ ɚġ ᖢጱᇒᚥ 組成、處理效率以及佔地面積,處
32,941
及半導體製造業放流水標準」、「光 光阻清潔液 32,941 酸鹼中和 - 界面活性劑
-
酸鹼中和
界面活性劑
光阻清潔液
c1.խӵ८ᑗϊ 理方法發展為脫氣膜(液相交換)、
電材料及元件製造業放流水標準」 ɚġ Anammonx ȁ2.ಆሗሢޑ
ȁIJįཌྷҢޑҢߞഁ࡚ᄛȂఃഁ࡚ᄛ ሰېѵ౪ 氣提濃縮、觸媒燃燒… …等方式,
與「科學工業園區污水下水道系統
ȂԄႅᐈձளਣඉᐡၷຳਣ c3.ݨཏᖢጱᑗ
放流水標準」等,皆已將氨氮納為 氨氮廢水來源 銨和去光阻劑為主要氨氮廢水之來 ȁijįཌྷҢޑߞਣሰᆈ໕ၷ༉ಜРԓմ ࠲ୱᚡ 其適用性及初設成本也大不相同,
科技業之管制項目,將分階段進行 源,如 表一所示。依據環保署 101 ɚġ ା઼ੋϾ ɚġ Ⴌഇݚ 如 圖四所示。
մ
管制,並訂定光電材料及元件製造 年事業廢水特性調查及污染管制措 針對氨氮廢水以氣提脫除及吸附方
0.001 0.01 0.1 1 wt%
業、科學工業園區污水下水道系統 在半導體業常用之含氨氨化學品, 施研議計畫調查,各科學園區廢水 ኁЬϜੌ෩ᐩ࡚ 式濃縮產生硫酸銨之方式概述如
之放流水標準。 氨水、顯影劑 TMAH、蝕刻液氟化 處理廠含氮物質濃度,如 表二所 下。典型氣提脫除方式的特點:利
16 NEW FAB JOURNAL JUNE 2014 17