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圖 6、UL 標章常見於各類產品                                 圖 7、非線性負載所造成之波形失真
















                                                                                                  諧波失真波形
                                                                                                  原始波形





                                                                               內部故障而轉跳至旁路模式,因
              圖 8、Group D~F 壓降測試點
                                                                               此,參考歷年壓降紀錄制定出壓
                                                                               降降幅 5%~15% 與壓降持續時間
                  100%
                                                                               1 週 期 ~4 週 期(1 週 期 =1/60 秒
                   90%
                                                                               =16.7 毫秒)之輕微壓降條件,其
                   80%
                                                                               中 Group D、E、F 分別對應到 5%、
                   70%                                                         10%、15% 之 降 幅。  圖8 顯示
                  Nominal Voltage Ratio  50%                                   Group D~F 之壓降測試條件,從圖
                   60%
                                                                               中可看出測試點落於 SEMI F47 所
                   40%
                   30%                                      SEMI F47壓降曲線       規範之 A 類及 B 類區域中。
                                                            Group D Test Point  最終,我們擬定國際半導體標準
                   20%
                                                            Group E Test Point  的 壓 降 測 試 項 目(Group A/B,
                   10%                                      Group F Test Point
                                                                               共 18 項 ) 於 Eaton 美 國 RPO 廠
                   0%
                     0.01              0.1              1                10    執行測試、非線性負載壓降測試項
                                            Duration (sec)                     目(Group C, 共 14 項 ) 分 別 於
                                                                               Eaton 美國 RPO 廠(8 項)及亞太
                                                                               台北廠(6 項)執行測試、tsmc 歷
              表 2、壓降驗證項目總覽                                                     年失效案例加嚴測試項目(Group
                                                                               D/E/F, 共 84 項 ) 分 別 於 Eaton
                   測試類別                 測試項目        測試地點         測試結果          美國 RPO 廠(48 項)及亞太台北
                                                                               廠(36 項)執行測試,共計 116
                   GroupA/B             18          US(18)       Pass          項,如 表2 所示。
                   半導體國際標準
                   Group C              14          US(8)        Pass
                   非線性負載                            TW(6)
                   Group D/E/F          84          US(48)       Pass
                   歷年失效案例                           TW(36)
                                                                               結果與分析




              測試計畫第三部分(總計 84 項)                Module, UPM) 偵 測 到 輸 出 單 相      新版韌體節能模式壓降驗證計畫共
              為 Group D~F,是依據過往案例針             電 壓 低電 壓 但 控 制 板模 組 (Main       計 116 項 於 2016/10/21 全 數 通
              對輕微壓降進行驗證。據經驗,壓                  Control Unit, MCU) 偵測不到旁路       過驗證,其中國際半導體壓降標準
              降程度較輕易使 UPS 轉態失效,                三相合成電壓過低,此情況會使                  測 試 (Group A/B) 更 透 過 第 三 方
              例如單相 10% 壓降,會使得不                 UPS 判斷輸出異常但旁路正常,                測試實驗室 UL 的全程監督,公證
              斷 電 模 組 (Uninterruptible Power   在舊版韌體中,UPS 可能會視為                本次之驗證過程。以下針對各個



                                                                               300mm FABS FACILITY JOURNAL          MARCH 2017  19
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