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技術專文

表9。
表 4、2007 IFC 空污排放標準 表 5、2013 年的全美最佳與最差之半導體廠回收狀況 表 7、台積公司的水污防治的規範變化
這兩家的企業社會責任年報，可參考
Pollutants Units Guideline Chemical Company Approach 污染物 IFC 台灣法規 F12B(P4) F14B F15B 的是總量資源的管理目標，其對環保
Value Waste 設施發展的詳細目標並沒有特別說
Onsite Offsite Onsite Offsite Reco- Re-
Release Release Treated Treated very cycle pH質 6~9 6~9 6.1 6.7 6.5 明，尤其在空污及水污排放的質與量
VOC* mg/Nm 3 20 比較沒有可以借鏡的地方。
化學需氧量 160 100 367 250 335
(納管標準500) (納管標準450) (納管標準500)
Organic HAP** Ppmv 20 HF International Rectifier Corp. 1.60% 11.40% 19.30% 2.30% 0.00% 65.40%
生化需氧量 50 25 1.9 1.78 <1.0
Inorganic HAP** Ppmv 0.42 Intel Corp. 0.60% 0.00% 99.40% 0.00% 0.00% 0.00% (5日平均) (7日平均)
HCI mg/Nm 3 10 Samsung Austin Semiconductor 10.40% 32.40% 5.30% 48.30% 0.40% 3.30% 總懸浮固體 50 30 18.4 8.9 39.8
NH 3 研究方法
(納管標準300) (納管標準250) (納管標準300)
HF mg/Nm 3 5 Cypress Semiconductor 31.00% 0.00% 30.30% 38.70% 0.00% 0.00% 油脂 10 10 1.26 2.8
Phosphine mg/Nm 3 0.5 (納管標準25)
HNO 3 Samsung Austin Semiconductor 0.60% 2.70% 93.50% 0.00% 2.90% 0.30%
總磷 2 4 <0.5 未列管 未列管 從以上的文獻的回顧，雖然各半
Arsine and As mg/Nm 3 0.5 Cleanpart U.S 0.00% 100.00% 0.00% 0.00% 0.00% 0.00%
compounds 氟鹽 5 15 12.9 3.27 11 導體廠在空水污的排放，已經有
NMP Avago Technologies 2.00% 0.00% 0.00% 0.00% 1.00% 97.00% 所作為，像PFC氣體、氨氮處理、
Ammonia mg/Nm 3 30 氨氮 10 20 10.7 11.8 3.42
TMAH回收等等。但是只要有空水
Acetone mg/Nm 3 150 Flipchip International LLC. 18.20% 0.00% 0.00% 81.80% 0.00% 0.00% 氰化物-總 1 1 0.02 0.01 0.02
污的排放，就永遠無法解決社會的
HCl Samsung Austin Semiconductor 21.20% 0.00% 74.30% 0.00% 0.00% 4.50% 氰化物-游離 0.1 未列管 未列管 未列管 未列管
NOTES: 疑慮；因此本章節將從審視現有的
* Applicable to surface cleaning processes. 可吸附有機鹵素 0.5 2 未列管 未列管 未列管
** Industry-specific hazardous air Atmel Corp. 51.90% 0.00% 48.10% 0.00% 0.00% 0.00% 處理方式，評估目前尚無法完全解
pollutants (HAPs) include: antimony 砷 0.1 0.35 0.003 0.0003 0.0004 決的問題，從中找到機會點。
compounds, arsenic compounds, NO X First Solar. 0.00% 0.00% 0.00% 100.00% 0.00% 0.00%
arsine, carbon tetrachloride, catechol, 六價鉻 0.1 0.35 ND ND ND
chlorine, chromium compounds, ethyl Siltronic Corp. 99.70% 0.30% 0.00% 0.00% 0.00% 0.00% 總鉻 0.5 1.5 ND 0.007 ND
acrilate, ethylbenzene, ethylene glycol, 空氣污染防治
hydrochloric acid, hydrofluoric acid, lead H 2 SO 4 Truesense Imaging Inc. 0.00% 0.00% 100.00% 0.00% 0.00% 0.00% 鎘 0.1 0.02 ND ND ND
compounds, methanol, methyl isobutyl
ketone, methylene chloride, nickel Intel Corp. 69.40% 0.00% 30.60% 0.00% 0.00% 0.00% 銅 0.5 1.5 0.113 0.26 0.093
compounds, perchloroethylene, phosphine, 鉛 0.1 0.5 ND ND ND 現有空氣污染防治措施
phosphorous, toluene, 1,1,1-trichloroethane,
trichloroethylene (phased-out), xylenes. 汞 0.01 0.005 ND ND ND 半導體製造所產生之空氣污染物經
Cruuent industry practice is not to use 表 6、台積公司的空污防治規範變化 收集後，需再經妥善處理，始能予
ethylbenzene, toluene, xylene, methylene 鎳 0.5 0.7 0.005 0.01 0.0186
chloride, carbon tetrachloride, chromium 以排放。由於半導體製造業可能排
compounds, perchloroethylene, 污染物 單位 IFC 台灣法規 F12B(P4) F14B F15B 錫 2 1 未列管 未列管 未列管
1,1,1-trichloroethane, or trichloroethylene. 銀 0.1 0.5 ND (<0.002) 未列管 ND 放之污染物相當多樣，各項不同特
*** At 3 percent O 2 . 性污染物之處理方法亦不盡相同，
硒 1 0.35 ND (<0.001) 未列管 ND
VOSs mg/m 3 20 0.6kg/hr或90% DRE 96 96 96 因此廢氣收集系統須針對各種不同
鋅 2 3.5 0.383 0.016 0.664 [8]
有害空氣污染物-有機 ppm 20 未列管 未列管 未列管 未列管 廢氣特性分類收集處理 表10 。
溫度 溫差<3˚C 水溫<35˚C 29.1 27 27.8
(Reduce, Reuse, Recycle)到目前的 半導體製造的生產設備皆在嚴格控
有害空氣污染物-無機 ppm 0.42 未列管 未列管 未列管 未列管
循環經濟，現在對廢棄物的環保處理 制的無塵室中操作，主要有氧化
鹽酸 mg/m 3 10 0.3* 0.14 0.09 0.02
要求趨勢，特別是有害化學品，是以 爐、擴散爐、清洗槽、顯影機、離
表 8、英特爾的 2018 年企業社會責任年報 表 9、三星電子的 2018 年企業社會責任年
循環回收使用為要， 表5則是美國在 氫氟酸 mg/m 3 5 0.3* 0.04 0.06 0.01 中的環保目標 報中的環保目標 子植入機及金屬濺鍍機等。而各類
2013年的最佳與最差之半導體廠回
磷化氫 mg/m 3 0.5 0.2 未列管 未列管 ND(<0.02) 製程可能產生污染物，依據其處理
[7]
收狀況 。 項目 Intel環保目標 項目 三星電子環保目標 特性區分，可區分為酸鹼性氣體、
砷 mg/m 3 0.5 0.005 ND ND ND
有機溶劑及特殊毒性/燃燒性氣體
氨 mg/m 3 30 20** <1 <1 <1 1 在2020年前，每單位耗水量要低於 1 在2020年後，韓國以外的三星工廠將 四類。
台積公司的環保設施發展變化 2010水準 100%使用綠能
丙酮 mg/m 3 150 35.6 <1 <1 <1
2 在2025年前，100%水回收 針對此三類廢氣處理，台積公司與
除了瞭解國外政府組織的環保要求變 2 2030年後，所有韓國三星工廠將20%
Remark: 目前國內外業界處理經驗類似，其
化，也回顧本公司過去十年在空水污 * 以全廠排放量0.6kg/hr，風量200萬CMH推算 3 2012~2020年，要累積40億度的節電 使用再生能源 處理原則如下：各類污染源所排放
** 固污管道標準，以管道高度40米概算
的排放狀況(2008~2016)。本公司在 4 在2020年前，每單位的直接溫室氣體 3 2012~2020年，要累積40億度的節電 之污染物，可能包含多項不同特性
(GHG)排放要比2010年低10%排放量
空污防治設備方面，在過去十年，設 廢氣，各股廢氣需先依其特性，先
備的採購規範，幾乎沒有任何變動， 5 在2020年前，美國地區持續100%使 4 在2020年前，每億韓圓的營業額，溫
用綠能，美國以外地區則增加綠能使 室氣體(GHG)的排放量為1.55噸CO 2 經一次現址式處理(Local Scrubber)
由 表6 ，可看出此變化。 目、增加水回收率及資源回收，由 表 國際半導體大廠之借鏡 用，讓再生能源的使用量將比2015年 後，再進入中央廢氣處理系統處
成長3倍
7，可看出此變化。在水污的排放基 (Intel & Samsung CSR) 5 在2020年前，每億韓圓的營業額，耗
但在廢水處理與回收系統，由F12B 6 在2020年前，有毒廢棄物零掩埋 水量為50噸 理。而這現址式處理設備，依廢氣
最初的9套廢水處理系統，演進至 本上均優於國內外法規要求，除水污 最後本文要參考的是，半導體大廠英 屬性有不同的設計，可分類成電
十五B廠已擴建至22套，而這些新增 有三項(氟化學需氧量、鹽及氨氮)比 特爾及三星電子的2018年企業社會 7 在2020年前，90%非有毒廢棄物回收 6 在2020年前，95%廢棄物回收再利用 熱式、燃燒式、電漿式、乾式吸附
再利用
系統，主要在符合法規新增列管項 國際標準要高。 責任年報的環保承諾事項，如 表8、 塔、活性碳吸附塔、高沸點有機溶

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