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表二、n=1 的擬合結果，K 的合理值約介於 10-100 等級

n 機台 K r offesst RMSE 擬以核結果
1 HDCBK1 9.22 0.34 0.1 0.64 offset 太小
1 HCUVA2 1.54 0.24 0.1 0.05 K 和 offset 太小 太太
1 HDOXD1 2.22 0.20 0.6 0.10 K 太小
1 HCSCD5 0.58 0.10 1.0 0.06 K 太小
1 HCEPA3 29.95 0.13 0.1 6.36 offset 太小 RMSE 太大
1 HSSK12 3.66 0.37 1.0 0.13 K 太小
1 HIHIV9 12.8 0.14 0.1 1.54 offset 太小 RMSE 太大
1 HCAPN1 3.72 0.91 0.2 0.21 K 和 offset 太小
1 HDRNA1 4.07 0.26 0.3 0.01 K 太小
1 HSMGA2 6.75 0.13 0.1 2.86 offset 太小 RMSE 太大
1 HCSCN5 0.47 0.04 1.7 0.05 K 太小
1 HPSS02 0.57 0.04 0.9 0.04 K 太小
1 AMHS380 2.59 0.12 0.1 0.16 K 和 offset 太小

表三、n=2 的擬合結果，K 的合理值約介於 5-50 等級

n 機台 K r offesst RMSE 擬以核結果
2 HDCBK1 24.8 0.97 0.8 0.28
2 HCUVA2 2.4 0.63 0.4 0.02 K 太小 太太
2 HDOXD1 3.74 0.58 0.9 0.13
2 HCSCD5 0.570 0.34 1.1 0.09 K 太小
2 HCEPA3 42.73 0.43 0.4 0.66 RMSE > offset
2 HSSK12 6.71 0.85 1.6 0.21
2 HIHIV9 17.4 0.43 0.8 0.60
2 HCAPN1 4.3 0.33 0.9 0.20
2 HDRNA1 6.13 0.64 1.0 0.26
2 HSMGA2 9.14 0.41 0.1 1.50 offset 太小 RMSE 太大
2 HCSCN5 0.42 0.18 1.8 0.02 K 太小
2 HPSS02 0.41 0.17 1.1 0.02 K 太小
2 AMHS380 3.23 0.39 0.6 0.09

而無其他微擾的修正 ( 好比空氣造 式如下 : 磁場的電源距離 (meter)
成的阻抗衰減或碰到金屬面的反 B = K · (r +X) + offset 因為機台都有外殼包覆，所以磁場
-n
射…)。結果可概分成三種 : 磁場與 只能在外殼以外量測。
B 磁場測量值 (mG)
距離成一次方反比 - 磁場測量距離 故 r 是機台內產生磁場的電源到外
K= d · μo · I / 4π
遠小於載流導線長度；磁場與距離 殼的距離，
成二次方反比 - 測量距離與載流導 μo ( 真空磁導率 )= 4π 10-7 (T · m / X 是磁場量測點到外殼的距離。
線長度無極大極小的差距；磁場與 A) = 4π (mG · m / A)
offset 為環境背景值 ( 無塵室內
距離成三次方反比 - 考慮來回線路 d=1 當 n=1；
無任何機台作業的磁場背景值約
的 AC 相位彼此干涉，還有電流源 d= 產生磁場的有效載流電線長度， 0.3–0.5mG)，
是一個很小迴圈的磁偶極 (magnetic 當 n=2；
dipole) 或是磁場測量距離遠大於載 擬合 過程分別將 n 值分別 帶入
d= 磁偶極面積大小，
流導線長度等情況。 n=1、2、3， 並 調 整 offset 值 使
當 n=3；
得 誤 差 ( 均 方 根 誤 差 RMSE: root
再將這些測量值依此三種來做資料 I 產生磁場的電流大小 (Amp) mean square error) 落於 <offset 的
曲線擬合 (data fitting) ，擬合的公 r +X 測量距離 : 磁場量測點到產生 合理環境背景值範圍內。

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