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技術專文

圖四、EUVL 與傳統光學微影比較 ( 傳統光學顯影 b， 圖五、EUVL 的奈米粒子防治方式 [3]
採用透明薄膜保護） [3]

Critical surface
(a) Extreme Ultraviolet Lithography (a)
Conductive Layer for
Electrostatic Chucking
Mask Container
Mo/Si
Low Thermal Expansion Substrate Multilayers
Cover plate
Capping (b)
Layer

13.4 nm Bu er
EUV Light Absorber Mask
Layer Layer

(b) Covnentional Optical Lithography (c)
Mask
Light Source
E -VT

Particle Trap
(d)
Fused Silica Substrate
Mask
E -VT
Pellicle

力沉降的方式，沾附於光罩表面。 位面積對晶圓的吸附力，隨著粒徑
(2) 利用一外部保護層板，減少光 縮小成線性關係成長，而傳統利用
奈米粒子的防治方式 罩所能接觸到的氣體空間容量，降 流體粘滯力 (fluid drag force) 的清
( 以 EUVL 為例 ) 低粒子污染表面的機會。(3) 外加 除效率，亦隨粒徑縮小而降低，直
溫度場或電場，利用溫度梯度及電 至無法產生清除效用為止。

現今的微影製程採用 EUV(extreme 力梯度，使光罩表面與污染粒子 目前對於晶圓上，奈米尺度的污染
ultraviolet) 技術，EUV 相較於傳統 之間，產生斥力，形成保護。(4) 粒子，所採用的技術，有氬奈米子
的微影製程，不同之處，在於無法 在光罩四周安裝污染粒子捕捉裝 彈 (Ar nano bullet)、 低 溫 氣 膠 集
採用透明的薄膜，進行對污染粒子 置 [3] 。 依 Klenbanoff 與 Rader 的 束 (cryogenic aerosol) 及超音速粒
的屏蔽遮罩，因 EUV 極易被各式質 研究，如果將光罩置於比外部保護 子束 (supersonic particle beam) 等
材的透明薄膜所吸收。光罩在運送 板更高的溫度時，會形成溫度膜 等。其中低溫氣膠集束清除法，對
至掃描機台之前，搬運過程會產生 "Thermalphoretic pellicle"， 此 熱 泳
於奈米粒子的清除極限為 50nm，
奈米粒子的污染問題，以 Pozzetta 現象，會對光罩產生保護作用。
對於更小的粒子，因如前所述，
PZT 600 carrier(Pozzetta, 2006)
與晶圓表面之間，具更大的吸附
為例，固定牆面的較低溫差，會產
力，以至於無顯著的清除效率。而
生奈米粒子的凝結，機器手臂的轉
超音速粒子束，則對直徑範圍為
動摩擦，甚至機器手臂搬移光罩時
20nm~100nm 的 污 染 粒 子 具 清 除
使用的聚合物針狀支承，都會產生 晶圓上奈米粒子
對光罩危害的奈米粒子污染，目 能力。氬奈米子彈的清除能範則是
前 EUVL 所採用的奈米粒子防治方 的清除 落在 20nm~50nm 之間。
式，主要為下列四種：(1) 將光罩 對於更小尺寸的奈米粒子，比如
上下反向放置，避免污染粒子循重 在奈米尺度的領域裡，污染粒子單 10nm 直徑，以現今最先進的技

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