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Tech
Notes
技術專文
圖四、NF 3 和 F 2 的清潔速率與氟原子流量 ( 資料來源：HSC Chemistry)
NF3 F2
3.00
2.50
2.00
Normalised cleaning rate 1.50
1.00
0.50
0.00
0 10 20 30 40 50 60
Atomic uorine ow [slm]
圖五、NF 3 和 F 2 的清潔速率與氟原子流量 ( 資料來源：HSC Chemistry)
NF F
5
4.5
4
3.5 3
Normalised cleaning rate 2.5 2
1.5
1
0.5
0
0 20 40 60
Atomic uorine ow [slm]
利用氟自由基進行清潔，在同一的 易再結合，故導致 NF 3 轉換成氟自 行清洗 評估，NF 3 和F 2 的清潔 效
氟原子流速下 NF 3 和F 2 的清潔率 由基的效能降低（參考 圖五所示）。 能整體影響總結果如 表二與 表三所
是相同的，但鍵能低的 F 2 可以在 示。製程參數需要進行最佳化以得
把F 2 應用在大型 PECVD 之反應腔
較高的流量下有較高的蝕刻率，因
室清潔，相同證實了其效能和可靠 到最佳結果，它不是直接用 F 2 替
此在同樣的能量下可以實現更高的
的數據，也已開始在十二吋的半導 換 NF 3 那樣的簡單。這可能是由
蝕刻速率，額外的好處是獲得較低
的功率消耗和產生的熱量較低（參 體設備上測試，用以證實是否可以 於一系列因素，如氣體的流動均勻
考 圖四所示）。在反應腔室內解離 有相同的優點。在一個半批次式的 性、電漿密度、壓力和溫度等，每
的情況是不同的，特別在高流量下 原子層沉積系統 (ALD) 和一個單片 個設備需要進行最佳化以得到最佳
NF 3 需要較高的活化能量以及更容 式的熱化學氣相沉積系統 (CVD) 進 結果。
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