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技術專文

表 7、個人防護具改善 圖3、AlPAD機台維修保養過程氰化氫濃度變化

改善前 改善後
30

護目鏡、無塵口罩 PAPR、防酸鹼手套、無塵服每日更換 HCN
clean e-chuck HCN瞬間濃度24.2ppm
25

圖2、Clean Recipe與Air Purge 濃度變化
20

以D.I water clean chamber HCN 9ppm
60 ppm 15
Lid Open 50ppb 50ppb TLV 50ppb
50
50ppb Lid Open Clean 開啟chamber middle body (GDP)
Chamber
40
Clean 10
Chamber
30
3.7ppb
20 5
3.6ppb Clean
10
2.3ppb 1.3ppb Lid Open Chamber
0 0
改善前 改善一：Clean Recipe 4 lots 改善二：Air Purge 30mins 雙管齊下
10:19 10:26 10:33 10:40 10:47 10:55 11:02
A : clean recipe B : Air purge AsH 3 Concentration trend chart

法量測到暴露狀況。 chamber wall位置砷(As)殘留量最 purge，因此評估以工程控制方法 Fresh air purge 30mins，可將關鍵 PM，先以vertex分析器搭配HCN 控制降低汙染物逸散量。
2
高可至19368μg/100cm ，遠大於 降低汙染物逸散。 步驟瞬間濃度降至4ppb以下。機 及MA紙帶進行量測，如 圖3發現
2
計算AsH 3 吸入性急毒危害指標 工業建議標準值100μg/100cm ， – PM執行前通入CF 4 輔以Plasma進 台為單一腔體設計，因此無法架設 開啟GDP (上蓋)接觸空氣時並無 CC-FTIR進行氣態污染物定性確認
2
其他擦拭點約15μg/100cm 均低 - PM Hood隔離亦無法加上蓋板施 HCN讀值，但開始Clean E-chuck 及同步鑑別PM hood外圍是否亦有
AHQ inh = C acute ‧0.001/AIEC分別 行pre-clean，利用F 及plasma去 汙染物逸散
於建議標準值。此製程機台電漿 作。 接觸水時則量測到HCN瞬間濃度達
代入下列數值 除chamber wall coating沉積物。 以F TIR監測同樣發現C lean E -
能量強，且加入CF 4 進行蝕刻以 先嘗試執行4個lot Clean recipe 24.2ppm，及clean chamber wall時
3
– AsH 3 急性吸入暴露標準(mg/m ) F 去除上一站High dose implan- 綜合評估AsherTool PM事項： HCN瞬間濃度約9ppm，皆遠大於 chuck時可量測到HCN瞬間濃度達
-
3
為0.16mg/m  tation (HDI)於製程反應後所生成 (約80mins)，發現清潔chamber PM過 程 中 具 有 A s H 3 暴 露 健 康 HCN Ceiling值：4.7ppm，且同時 23.8ppm，及clean chamber wall遇
階段讀值大幅下降至2.3ppb， 水時瞬間濃度約9.1ppm，發現CCl 4
– C acute 為AsH 3 最大小時暴露濃度 carbonized layer (crust)層，crust 但chamber開啟時讀值亦達到 風險，危害關鍵步驟為：o pen 有HCl瞬間濃度約1ppm。依文獻資 於Clean E-chuck時有4.2ppm (如下
[4]
3
值平均值0.158ppm=50ug/m = 上方即有Arsenic 等污染物殘留。 50ppb無顯著改善，如 圖2A 。 chamber lid、Cleanchamber wall， 料 可推估，Chamber wall coating
PM過程中同時具砷(As)微粒暴露 若為ClCN於開啟Chamber接觸空氣 頁 圖4)，同步量測此製程PM作業
0.05mg/m 3
– 若單純執行pump purge並無法流 風險，因此除透過工程控制改善將 中水氣時，因水解速度較慢未產生 所架設 hood之有效性，Hood外圍
工程控制、防護具等級提升
可計算出AsH 3 之AHQ inh =0.05/ 入水氣帶走沉積副產物，因此設 AsH 3 瞬間濃度降至4ppb以下，並 HCN，待PM作業wet clean大量接 並未量測到汙染物逸散。
0.16=0.32<1，表示作業期間無急 維修保養過程發現人員穿戴防護 計於PM前利用真空系統CV銜接 將人員呼吸防護具由無塵口罩規範 觸水時才會量測到HCN逸散。 依據量測結果，與設備討論防護
毒性危害可能。但仍需關注其瞬間 具不足，過程僅配戴安全眼鏡及 於Pumping line之manual valve， 提升為PAPR並定期更換無塵服。 具等級是否足夠並合作執行By-
暴露濃度高且超過TLV值，應透過 無塵口罩，並無呼吸防護具且PM 並微開啟Load lock door，以形 將上述步驟標準化修訂PM O.I.及 計算AlPad Tool PM HCN吸入性急 product減量實驗，因PM過程具有
工程控制降低逸散量。 O.I.無規範，因此立即要求人員配 成氣流，帶入新鮮空氣與副產物 PPE O.I.，同時將此課別PM人員納 毒危害指標 HCN暴露危害，確認設備作業有依
戴PAPR (動力空氣濾淨式呼吸防 反應再由CV抽走，避免汙染物 入年度特殊健檢清單檢查尿中砷。 AHQ inh = C acute ‧0.001/AIEC分別 PPE O.I.配戴PAPR，並搭配防酸鹼
護具)，並水平展開至其他廠區修 有機會逸散。發現PM前以此動
利用表面砷擦拭Wetwipe「NIOSH 代入下列數值： 手套進行作業。作業過程為避免污
9102」+AA原子吸收光譜儀 改PPE O.I (如 表7)。由於Chamber 作進行30mins purge，chamber 染物逸散環境，PM hood與house
3
– HCN急性吸入暴露標準(mg/m )
wall會附著大量砷微粒，同樣會於 開啟chamber讀值可大幅下降至 Metal ETCH AlPad vacuum皆有架設確實，以達到防
鑑定機台端是否有doping物質微粒 3
清潔腔體時沾染到無塵服，因此與 1.3ppb，但clean chamber階段 暴露評估及工程改善 為0.34mg/m 護效果。
殘留，是否具有砷危害暴露風險，
製造部溝通比照IMP離子佈值設備 讀值仍會達到50ppb，如 圖2B 。 – C acute 為HCN最大小時暴露平均值
採樣位置以設備人員作業過程中較
3
人員，將此蝕刻課別設備之無塵服 1.3ppm=1440ug/m =1.44 mg/
易接觸機台部位進行MCE濾紙擦 結合上述結果，合併clean recipe Vertex「(試)紙帶式氣體偵測器」 執行工程控制By-product減量實驗
每日清洗更換，避免無塵服沾染造 量測氣態污染物 m (HCN分子量27.03)
3
拭採樣(暴露途徑：接觸/食入)。 及fresh air purge兩項做法，並調 利用軟體已設定好PM前BC l 3
成人員誤食或皮膚接觸。
Asherchamber較易接觸位置為： 整Clean recipe 次數，減少影響設 Lam 2300 Versy型式AlPAD使用製 因此可計算出HCN之AHQ inh =1.44 P lasma c lean rec ipe之次數調
Chamber wall、tool robot、shower 經與設備討論後發現此機型於PM 備PM前置作業時間，找出最佳化 程氣體為Cl 2 、BCl 3 、O 2 、N 2 、He、 /0.34=4.23>1，代表PM作業期間 整，加強ion bombardment to
head、e-chuck，由實驗數據發現 前並無任何Clean recipe亦無pump 參數設定為Clean recipe 3次合併 Ar，PM頻率高:每天都有chamber 有急毒性危害之可能，需進行工程 dislodge，使chamber wall副產物
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