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 技術專文


 圖4、AlPAD機台維修保養過程FTIR監測HCN/CCl 4 濃度變化  圖6、Metal gate1、Metal gate2 維修保養過程HF濃度變化


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                              chamber lid開啟
 HCN  CCl4        10          HF: 10.8ppm            Metal       10    Metal
 20  4                                               gate1             gate2      chamber lid開啟
                                                                                  HF: 8ppm
                   8                                              8
 Conc., ppm  15  Conc., ppm  3  HF (ppm)  6 4                   HF (ppm)  6 4

 2
 10
                   2                     clean chamber wall       2
                              10 mins    0.4ppm
 5  1              0                                              0
                   11:15  11:44  12:13  12:42  13:11  13:39      09:29:57  09:44:21  09:58:45  10:13:09  10:27:33
 0  0
 11:15  11:44  12:13  12:42  13:11  13:39  11:15  12:27  13:39
 Time of hh:mm  Time of hh:mm
              圖7、工程控制示意圖


 圖5、測試BCl 3 前處理次數增加濃度變化圖



 Max. 24.2 ppm
 25
 Clean
 E-chuck
 20
 Max. 8.7 ppm
 15
 Clean  Clean
 10  E-chuck  Chamber  Max. 2.7 ppm
 Clean
 Clean
 Clean
 Chamber  Chamber  E-chuck  Clean Chamber
 HCN: 0.8 ppm
 5  TLV 4.7 ppm  測漏 manual valve                                由 shower plate 上方小孔進氣
 Max. 0.5 ppm
 0
 Original  Clean 3 times  Clean 4 times  Clean 5 times
              時濃度最高可達10.8ppm,metal            AHQ inh =0.74/0.24=3.07>1,表示     方法,Vertex監控發現HF逸散皆
              gate2瞬間濃度約8ppm  圖6 ,而開          此process  type  PM作業期間有急         於Chamber  lid開啟並移除shower
              始進行Wet  Clean  chamber內部時       毒性危害。                            plate階段,因此評估開啟前執
 減少,再進行pump  purge,同樣  可計算出改善後HCN之AHQ inh =   Poly Metal Gate etch             行Fresh  air  purge,使汙染物在
              HF瞬間濃度較低約0.4ppm,再利              Metal  gate  2之C acute =0.76ppm=
 以Vertex持續監測汙染物,確認副  0.1/0.34=0.29<1,表示經工程控  (機型HITACHI)
              用impinger採樣+以IC鑑定負離子確           0.62mg/m ,計算出AHQ inh =0.62/      未開啟前及早接觸空氣中水氣反
                                                        3
 產物瞬間逸散濃度可降至Ceiling以  制後PM作業期間已無急毒性危害  -                                       應,並由House  vacuum抽走,但
              定為F ,因此HF濃度值遠大於HF               0.24=2.59>1,此機台PM作業期間
 下。實驗方法:PM前BCl 3   Plasma   之可能。  Vertex「(試)紙帶式氣體偵測器」  ceiling值6ppm須進行工程控制改善   HITACHI機型於chamber  接觸空氣
 clean次數由原先2次逐步提升至5  先期量測是否具氣態污染物,並以          有急毒性危害。依據吸入性急毒危                  前並無其他gauge或閥件可拆除供
 綜合評估AlPad Tool PM事項:  汙染物逸散實驗。               害指標計算結果,須立即進行工程
 次,可發現clean e-chuck HCN濃度  廠內實驗室儀器impinge+ IC協助鑑  控制,以確保改善至AHQinh<1。           空氣流入,藉由現場作業觀察發
 由24.2ppm大幅下降至3ppm,具  PM過程中具有H C N暴露危害,  定無機物種類                                現chamber接觸空氣前最後一個步
 有顯著效果如 圖5 。  危害關鍵步驟為:Clean  chamber   HITACHI型式Poly  ETCH製程機  計算Metal gate 1 Tool PM HF吸入  依上述監測結果:PM過程中具有  驟即為移除shower  plate,因此評
 wall  、clean  E-chuck,其中clean   台,分成兩種Process type:Metal   性急毒危害指標  HF暴露危害,需確實配戴呼吸防護  估chamber  lid開啟後留下shower
 依工程控制後Vertex量測結果重新
 E-chuckHCN濃度最高達24ppm具  gate1、Metal  gate2,其製程氣體  AHQ inh =C acute ‧0.001/AIEC分別代  器,確認設備現場有依PPE  O.I.規  plate,藉由其上方之微小孔洞當
 計算HCN吸入性急毒危害指標,
 吸入性暴露危害風險,因此透過與  為4%CH 4 /AR, CHF 3 , Cl 2 , HBr, NF 3 ,   入下列數值,  範配戴PAPR呼吸防護具及搭配防  作外界空氣進氣口,再由  pumping
 AHQ inh =C acute ‧0.001/AIEC分別代
 設備合作利用工程控制將HCN瞬間  SF 6 , SiCl 4 , Ar, He, O 2 , H 2 ,PM頻率  3  酸鹼手套進行作業,並於PM作業  line  測漏manual  valve以House
 入下列數值,其中:    – HF急性吸入暴露標準(mg/m )為
 濃度降至1ppm以下,並確認人員  約為每週一次chamber  PM,先以  0.24mg/m 3  期間確實使用House  vacuum進行     vacuum抽氣,形成氣流帶走副產
 3
 – HCN急性吸入暴露標準(mg/m )  有確實遵守PPE  O.I.穿戴呼吸防護  vertex分析器搭配MA/Cl 2 紙帶進行  助抽,但量測結果顯示僅至於旁邊  物 圖7 。
 為0.34mg/m 3  具PAPR,及作業期間確實使用PM   監測,發現Metal  gate1,2皆為開  – C acute 為HF最大小時暴露平均值  助抽效果並不顯著。  以metal gate 1機型進行實驗PM前
                                3
 – C acute 為HCN最大小時暴露濃度  hood避免汙染物逸散。將上述步驟  啟chamber  lid並移除shower  plate  0.9ppm=740ug/m =0.74mg/m  3   Fresh air purge 5 mins,發現HF濃
 值平均值0.09ppm=0.1mg/m  3   標準化修訂PM O.I.及PPE O.I.。  瞬間接觸空氣後會產生瞬間高濃  (HF分子量20.01)  執行工程控制By-product減量實驗  度於shower  plate開啟瞬間約降至
 (HCN分子量27.03)  度HF讀值,其中Metal  gate1開啟  計算出Met al  g at e  1 之H F 之  依現場機台硬體狀況設計工程控制  3.4ppm,wet clean cham-ber wall



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