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Tech
Notes
技術專文

讀式儀器特性可立即取得量測數
圖8、MG1、MG2工程控制後HF濃度變化圖
據之變化，除了可依監測結果進
行工程控制持續改善，更重要的
12 是讓同仁知道可能暴露的危害及
Max. 10.8 ppm
風險，更加願意合作共同開發控
制方法，這對日後推展暴露風險
8 評估計畫有極大的幫助。
HF (ppm) Max. 3.4 ppm Ceiling 6 ppm – 透過導入健康風險評估模式之吸

4
入性急毒危害指標，以量化風險
Max. 0.6 ppm
值，有效改善以往缺乏特化指
0
Original Air Purge 5 mins Air Purge 10 mins 標，並可評估工程控制前後機台
逸散污染物對人員造成的危害及
10
Max. 8 ppm 驗證方法之有效性。
– 藉由TB平台將本計畫暴露風險評
估模式推廣到其他廠區，以改善
5
各廠區不同製程機台維修保養作
業之副產物逸散風險，達到員工
Max. 0.4 ppm 作業零暴露的目標。
0
Original Air Purge 10 mins

參考文獻
[1] 張振平、宋隆佑、朱振群、林宜長，半
導體廠維修作業勞工有害氣體溢散調
僅有0.6ppm，成功削減HF逸散濃 高達10.8ppm具吸入性暴露危害風 結論 查，國立台灣大學環境衛生研究所，
度，因此持續進行10 mins，發現 險，透過與設備合作利用工程控制 2000
[2] 葉銘鵬、吳榮泰、余榮彬，應用霍式紅
shower plate開啟瞬間HF可大幅降 將HF瞬間濃度降至0.5ppm以下， 外光譜法調查半導體廠製程危害性氣
體，工業技術研究院工業安全衛生發展
至0.5ppm (如 圖8)。複製同樣手法 並確認人員有確實遵守PPE O.I.穿 本研究開發了適合半導體廠區之採 中心，1999
進行metal gate2 HF削減測試，結 戴呼吸防護具PAPR。將上述工程 樣策略，以直讀式儀器進行初篩， [3] First, B.G., “Exposure Characterization
果HF濃度於shower plate開啟降至 of Preventive Maintenance Activities
控制步驟標準化PM O.I.。 必要時再輔以定性監測方法，可以 on Semiconductor Manufacturing
0.4ppm，wet clean chamber wall Equipment,” SSA Journal, 10:27-41,
更快速、更精準且費用低並達到研 1996
讀值降為0，驗證此工程控制之有
究設定目標，同時藉由暴露風險評 [4] 張振平，半導體業紅外光偵測技術評估
效性。 與建立研究計畫，勞工安全衛生研究
具體貢獻及成效 估方法鑑別出以往未發現之副產物 所，IOSH86-A310，29-35，1997
依工程控制後Vertex量測結果重 逸散及員工維修保養作業確實有瞬 [5] 古坤文，半導體金屬蝕刻機台於預防維
依上述鑑別方法進行廠區所有蝕刻 修時之污染物逸散控制，國立交通大學
新計算Metal gate1 HF吸入性急毒 間高濃度污染物暴露疑慮，並且以 碩士論文，2004
製程暴露評估，執行成效如下。
危害指標，AHQ inh =C acute ‧0.001/ 吸入性急毒危害指標將作業風險量 [6] P ais,DS., “Industrial Hygiene
Assessment of Metal Etch Preventative
AIEC分別代入下列數值，其中： – 利用本研究定量暴露評估策略， 化，可有效執行工程控制方法確效 Maintenance Activities”, SSA confe-
共發現300mm N28蝕刻製程有 及驗證，供廠區作業人員一個安全 rence, April1998
3
– HF急性吸入暴露標準(mg/m )為 [7] SEMATECH, Working Group Meeting,
0.24mg/m 3 9項具有副產物逸散風險，且檢 無虞的工作環境。總結本文結論如 Exhaust line safety analysis final report,
視各製程防護具穿戴等級，發現 下： 2014
– C acute 為HF最大小時暴露濃度值平 [8] David Rainer and Lisa, “Brooks
須提升1項製程之呼吸防護具至 – 本研究採樣策略為利用GM S / Recognition, Evaluation and Control of
3
均值0.06ppm=0.04mg/m (HF Some Plasma Processing Hazards”,
PAPR，並量身訂做各製程維修 Honeywell等直讀式儀器，具有 1998
分子量20.01)
保養作業之工程控制方法。 偵測下限低、更快速、可即時取 [9] Baldwin DG, StewartJH. Chemical and
計算出改善後HF之AHQ inh =0.04/ 得數據且費用便宜之特性，可補 Radiation Hazards in Semiconductor
Manufacturing. Solid State Technology.
– 重新修訂維修保養作業之前置作
0.24=0.2<1，工程控制後作業期間 足傳統環境監測方法之不足，除 131-5,1989; Aug
業流程，共標準化維修保養程 [10] Ming-pengYeh, Rong-Tai Wu, Jung-Pin
已無急毒性危害。 鑑別300mm機台PM作業暴露風 Yu1. Probing Airborne Chemicals of
序書5份，以達到防止再發之目 Semiconductor Work Place Using Gas
綜合評估HITACHI Tool PM事項： 險，未來可運用來評估其他新製 Chromatography Mass Spectrometry.
的。
程機台暴露危害。 Center for Industrial Safety and Health
PM過程中具有HF暴露健康風險， Technology, Industrial Technology
Research Institute, 2000; Feb
危害關鍵步驟為：chamber開啟並 – 透過研究執行過程，發現可強化
[9] 任新兵編著，化學工業出版社，太陽能
移除shower plate瞬間，HF濃度最 與現場設備同仁互動溝通，因直 光伏發電工程技術，2012初版。
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