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TSMC/ Facility Published

表 1：半導體製程廢氣種類

廢氣種類 污染物成分 污染源

酸性氣體：HF、HCl、HNO 3 、CH 3 COOH、 氧化、光罩、蝕刻、
酸鹼廢氣 H 3 PO 4 、H 2 Cr 2 O 7 、H 2 SO 4 反應爐 ( 氧化爐、擴散爐 )
鹼性氣體：NH 3 、NaOH 之清洗、CVD

二氯甲烷、氯仿、丁酮、甲苯、乙苯、丙酮、苯、 光阻液清洗、顯像液清洗、
有機溶劑廢氣
二甲苯、4- 甲基 -2- 戊酮、乙酸丁酯 蝕刻液清除、晶圓清洗
AsH 3 、PH 3 、SiH 4 、B 2 H 6 、B 4 H 10 、P 2 O 5 、 氧化、光罩、蝕刻、擴散、
毒性氣體 SiF 4 、CCl 4 、HBr、BF 3 、AlCl 3 、B 2 O 5 、
CVD、離子植入
AsO 3 、BCl 3 、POCl 3 、Cl 2 、HCN、SiH 2 Cl 2
燃燒性氣體 SiH 4 、AsH 3 、PH 3 、BF 3 、H 2 、SiH 2 Cl 2 CVD、離子植入、擴散

結果與分析

於硫酸銨乾燥系統之流化床尾氣，經過現址式濕式洗
滌塔處理後，串聯至中央洗滌塔，委託九連環境開發
股份有限公司進行檢測，於現址式洗滌塔以及中央洗
滌塔入、出口裝設採樣儀器，檢測五酸類與一鹼類，
其檢測結果如下。

圖 3：壓力與流速分布
4.1 空污檢測結果

檢測方式使用離子層析儀分析其酸鹼鹽類濃度，五
酸分別為硫酸、硝酸、鹽酸、磷酸、氫氟酸，一鹼
為氨氣，現址式洗滌塔入口端其中五酸的最高濃度
3
為硫酸，濃度為 0.534mg/Nm 出口端為 0.044mg/
3
Nm ( 圖4)，中央式洗滌塔所有五酸皆有削減下降趨
勢( 圖5)。

鹼氣檢測結果，現址式水洗洗滌塔入口端氨氣濃度測
值為 3ppm，出口為 4ppm，可能原因為現址式洗滌
塔使用 RCW 作為洗滌水源，以水洗滌無進行加藥控
制 PH 值，受到循環水質影響，中央式洗滌塔使用硫
酸加藥控制 PH 值，氨氣入口值為 4ppm，出口值為
0.08ppm( 圖6)

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