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TSMC/ Facility Published
前言 文獻探討
放流水標準已於 109 年 7 月 1 日新增鈷 ( 排放標準小 2.1 鈷廢水足跡
於 1ppm) 作為管制項目，台積電於 7 奈米製程導入鈷
製程，新增使用含鈷之化學品及靶材，後端廢水內鈷 欲妥善處理廠內含鈷廢水，若能夠於建廠前即做好分
濃度提高，除符合法令要求，台積電自主要求盡可能 流管理是相當重要的，其是為廠內廢水處理原則的重
減少鈷外排，提升廠內含鈷廢水的處理能力。另外， 中之重，廢水應依水質特性進行專管專收，好的分流
鈷及其化合物屬於國際癌症研究機構 (International 不僅提高安全性，也能保留對未來環保法規變更的修
Agency for Research on Cancer, IARC) 定義的 Group 2B 改彈性。目前廠內製程廢水有多達 20 種以上專管分
致癌物 (Group 2B 定義 : 可能為致癌物質 )，廠區健康 流，含鈷廢水又涵蓋了高濃度及低濃度的來源，須明
風險評估需計算鈷的健康風險，相對於廠內使用的其 確瞭解其排放來源，以利後續處理程序的評估，而含
他化學品，鈷的致癌風險極高，若放流水內檢出鈷濃 鈷廢水分類及產出途徑可參考表1。
度，將使廠區致癌風險大幅提高，非台積電環保政策
之所向，因此我們以 ICP-OES 檢測偵測極限 (2.3ppb)
表 1：含鈷廢水產出途徑
作為企業社會責任的自主管理標準，目標設定為放流
水零鈷檢出 (N.D.)。因此本文主要討論現行廠內對含 製程 廢水名稱 產出廢水途徑
鈷廢水處理如何達成放流水小於 2.3ppb 之台積電自 已硫酸鈷電鍍液進行電化學
主管理標準與其最佳化之操作流程。廠內含鈷廢水處 CoECP 電鍍方式，電鍍後透過超純
ECP
水洗淨排放。
理主要分為兩大主軸，其一為低濃度鈷廢水處理，選 電化學
電鍍
用樹脂處理系統，吸附後產水濃度以零檢出為標準； 硫酸鈷電鍍液，晶電鍍一定
W-CoSO 4
其二，為高濃度硫酸鈷廢液，因既有高濃度硫酸鈷廢 數量晶片後，需排放換新。
液主要以廢棄物形式清運出廠，需委託專業廠商處 鈷靶材經氣化濺鍍至晶片，
PVD
理，但由於具備處理能力的廠商有限，且處理單價高， 部分氣化鈷經exhaust抽氣
物理氣相 LSD
至local scrubber進行洗滌
因此使用硫酸鈷廢液資源化的方法，並以產品形式對 沉積
至廢水。
外銷售，以達到零廢棄之目標。
晶片經ECP、PVD製程後，
CMP
化學機械 CoCMP 至CMP製程已研磨液進行研
磨，其廢水為研磨液與鈷金
研磨
屬顆粒為主。
透過主成分為M2混酸，去
AWD 除晶片上的鈷，回收晶片在
利用。
Wafer
recycle
用於晶片回收的M2混酸，
晶片回收
在處理一定數量晶片後，即
W-M2
排放至W-M2收集槽，委外
處理。
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