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NEW FAB Te ch notes
TECHNOLOGY
J OURNAL 技術專文

薄膜模組
與矽晶模
組遮蔭圖

理想條件：
串電壓 Vmp 1=Vmp 2
串電流 Imp 1=Imp 11=Imp 12=Imp 13=Imp 14

降低，如表 2[2] 為加州能源局對方位角及傾斜角的 一起，會減少因串聯產生不協調的損失。
變化關係研究，由表可看出傾斜角影響程度大於方 如 圖 廿 一，得 串 電 壓 Vmp1(=Vmp11+Vmp12+
位角，故選擇適當傾斜角可獲得較佳之發電效益。 Vmp13+Vmp14) & Vmp2，當二串再併聯時，理想
狀 況 下，Vmp= Vmp 1 =Vmp 2 ，則
Pmp=Pmp1+Pmp2，若 Vmp1≠Vmp2( 假 設
模組的選用
Vmp1<Vmp2) 時，則 Vmp=Vmp1( 最小輸出電壓 )，
為獲得較大輸出功率，在選用模組時，以較高轉
Pmp =Pmp1+Pmp1，系統因因電壓差導致功率損失
換效率及較低電壓溫度係數為佳，以表 3[5] 所示，
發電效率的影響是為各方研究的重要議題，對薄膜 模組安裝角的考量 Ploss= Pmp2-Pmp1。
同樣面積的模組，TSC150A 轉換效率為 13.7%，輸
模組而言，當 cell 切割線與陰影垂直時，如圖十九左， 我們考量模組不被遮蔭的情況下，模組傾斜角與 如圖廿一，得串電流 Imp1 &Imp2，理想狀況下，
出 功 率 增 加 為 150W，而 TSC140A 轉 換 效 率 為
每一個 cell 受部分遮蔭會降低模組些微輸出功率；當 太陽高度角的應用計算。台灣位處北半球，當太陽 Imp = Im p 1 1 = Im p 1 2 = Im p 1 3 = Imp 1 4 ， 則
12.7%，輸出功率僅為 140W。
cell 切割線與陰影平行時，如圖十九右，一個 cell 全 在赤道上運行時，由於太陽由東向西運行，為獲得 Pm p 1 = V mp 1 ×Im p 1 ，當
部份模組有不同的接地要求 (Amosphous 需負極
部被遮蔭時會轉變成一個電阻，當電流流過此 cell 時 最長日照時間，故模組裝設方位以面南為最佳安裝 Imp11<Imp12<Imp13<Imp14 時，則 Imp1=Imp11( 最
接地 )，要特別注意選用變流器的適當性。
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會產生能量損失 (I R)，進 而 形 成 一 個 熱 點 (hot 方位角。模組傾斜角 (tilt angle, a) 的角度選擇依場址 小輸出電流 )，Pmp1=Vmp1×Imp11，系統因電流
考量模組串併聯電壓與電流的的不協調
spot)，不僅影響模組壽命且有發生火災風險。所以 緯度來決定，由 PVSYST 軟體模擬，在台灣的最佳 差 導 致 功 率 損 失 Ploss=Pmp14+Pmp13+Pmp12-
(mismatch) 損失，串 (string) 電壓為每一模組電壓
薄膜模組的安裝方式以切割線垂直蔭影方式可得較 模組安裝傾斜角約 17~23 度。模組安裝方位角往往 (Vpm12+Vmp13+ Vmp14)×Imp11。故 在 挑 選 模
(Vmp) 的總和，相同的串電壓併聯在一起，會減少
佳之輸出功率及延長模組之壽命。 需配合現場條件，若無法面南，將導致輸出功率值 組作串併聯時，首先必需將模組電流相仿者歸類在
因併聯產生不協調的損失，相同的模組電流串聯在
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