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表 1、半導體製造業空氣污染物排放標準 [5] 圖3、滯留時間對污染物去除效率影響 [6]

空氣污染物 排放標準 100
Absorption efficiency (%)
揮發性有機物 排放削減率應大於90%或工廠總排放量
應小於0.6 kg/hr（以甲烷為計算基準） 90

三氯乙烯 排放削減率應大於90%或工廠總排放量
HCl
應小於0.02 kg/hr 80 Inlet conc. = 1-2 ppmv
Experimental data
Theoretical curve
硝酸、鹽酸、 各污染物排放削減率應大於95%或各污 70
磷酸及氫氟酸 染物工廠總排放量應小於0.6 kg/hr
0 0.2 0.4 0.6 0.8
Retention time (s)
硫酸 排放削減率應大於95%或工廠總排放量
應小於0.1 kg/hr 100
Absorption efficiency (%)

圖2、洗滌液pH值對污染物去除效率影響 [6] 90

HNO 3
120 80 Inlet conc. = 1-2 ppmv
Experimental data
Theoretical curve
70
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8
Retention time (s)
Removal efficiency (%) 80 90
100

60
Retention time = 0.1s Absorption efficiency (%) 80
Q l /Q g = 3.7 L/m3, Q l = 30 L/min
Inlet conc. = 522.69 ± 58.72 ppbv
40 CH 3COOH
HNO 3 70 Inlet conc. = 1-2 ppmv
HCl Experimental data
CH 3COOH Theoretical curve
60
20 0 0.2 0.4 0.6 0.8
7 8 9
pH Retention time (s)

– 洗滌水pH值應大於7 提到半導體製造業空氣污染管制及 率愈好
排放標準中所規範之洗滌塔操作條
2
– 潤濕因子應大於0.1m /hr – 填充物比表面積：填充物表面積
件，其控制意義為：
與填充段體積之比，愈高表示洗
– 滯留時間應大於0.5秒
– 洗滌水pH值：用以中和污染物及 滌液氣接觸時間愈長
2
– 填充物比表面積應大於90m /m 3 輔助吸收反應
由於工廠排氣量範圍有其法規限
此外依據Chien等人研究平行板式 – 潤濕因子：洗滌循環水量/(填充
制，排氣量通常為一定值，因此洗
[6]
洗滌塔時亦指出 ，即便在低濃度 物比表面積×洗滌塔填充段水平 滌塔處理效率主要由滯留時間及填
2
範圍(0.02-2ppmv)，只要滯留時間 截面積)，單位為m /hr，物理意 [4]
充物比表面積決定：
(retention time)大於0.5秒，及洗 義為洗滌液在填充物上分布的均
滌液pH值大於7，對於無機酸及有 勻程度
機酸去除效率均可維持80%以上， – 滯留時間：廢氣在填充段停留時 其中 為滯留時間，a為填充物比表
其實驗結果如 圖2、圖3所示。前面 間，通常停留時間愈長，去除效 面積。

300mm FABS FACILITY JOURNAL JUNE 2018 31