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技術專文

腦，知道目前當下需要處理的製程尾氣種類及流量，進而 此達成節能並同時確保尾氣去除效率的效果。(圖3)
同步調整Local Scrubber處理尾氣所需的運轉操作參數，藉

圖3、iSystem架構及運作方式

3、研究方法

本文將以實際CVD AMAT Olympia SiN ALD製程機台為
例，說明如何藉由製程尾氣及其處理方式的確認，以同時達成
Local Scrubber節能及穩定運轉之成效。

3.1 製程機台使用的製程氣體及其應用方式
CVD AMAT Olympia是一種氮化矽(SiN)原子層沉積
(Atomic Layer Deposition, ALD)的製程設備，該製程機台包含
A, B兩個製程腔體各自獨立運轉，而每個腔體又分別包含４個
獨立區域，其中2個獨立區域分別使用NH 3 以及DCS (SiH 2 Cl 2 ,
Dichlorosilane)製程氣體，另外2個獨立區域使用N 2 進行
Purge(圖4 圖5)。A, B兩個製程腔體其尾氣排放對應到AA, A, 圖5、原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)製造流程 [04]
AB以及BA, B, BB一共6個Dry Pump，其中AA, BA Pump分別
接收A製程腔體及B製程腔體的NH 3 製程尾氣，AB, BB Pump 依據上述製造流程其製程氣體在DCS區域會進行以下化學
分別接收A製程腔體及B製程腔體的DCS製程尾氣，A, B Pump 反應，除了會產生氮化矽Si 3 N 4 原子層薄膜於晶圓表面，並會產
分別接收A製程腔體及B製程腔體的N 2 製程尾氣。 生HCl及H 2 副產物。

4NH 3(g) + 3SiH 2 Cl 2(g) → Si 3 N 4(S) + 6HCl (g) + 6H 2(g)

3.2 Local Scrubber配置及處理方式

在過去此CVD Olympia機台的Local Scrubber配置是以A,
B兩個反應腔體為主體，將A, B腔體各自三個Dry Pump的排
氣接到同一台電熱水洗式的Local Scrubber，並各自搭配一個
獨立備機。此外，並於AA, AB, BA, BB Pump的後端管路設置
圖4、Applied Materials OLYMPIA®ALD於單一製程腔體的架構 Hot N 2 ，並於6個Pump的前後端管路設置加熱帶。(圖6)
(晶圓在腔體中旋轉其位置依序在4個獨立區域進行製程的處理) [03]

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