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圖9、單片式FSI製程化學品使用程序

圖7、氫氟酸污染物上游排放煙囪至下游製程機台盤查

3.3 製程機台污染源與化學品用量核對探討

與氣化課工程師合作，抓出各區域化學品日用量，與機
台設備工程師合作，分析化學品使用順序及投片秒數，對照採
樣數據，分析判斷使用何種前端廢氣處理設備改善，對症下
藥，藥到病除，效如桴鼓。(圖8)
圖10、FSI機台排氣構造與流程圖

由上述單一Chamber化學品使用程序可知，關鍵點在
於H 2 SO 4 與NH 4 OH兩者使用的時機並不重疊，於前段風管採
用LSS水潤洗數百秒，因此若將各Chamber內連線由共管改
為獨立管分流，當不同Chamber進行不同酸鹼程序時，單一
Chamber專管專收不互相混排影響，可大幅降低高濃度酸鹼
產生大量粒狀物的機會。因原廠機台設計本身底部已設有專
管接點，由此接點後之製程排氣管路修改設計如 圖11所示，兩
支Chamber exhaust出機台後各自走獨立專管，取代舊有岐管
(Maniflod)匯集至Submain的設計，並於獨立管內設置前灑水

圖8、空污排放減量與削減技術分析 頭進行初步水洗，以降低管內酸鹼氣體濃度，減少後續混合形
成硫酸銨的機會，當廢氣經分流及細水霧灑水後再送至水渦流
機進行少量粒狀物的處理。此設計與以往不同的是，針對單片
4. 結果分析
式FSI機型不再只是處理生成之粒狀物而已，而是解決源頭的
4.1 硫酸含量源頭削減 酸鹼氣體問題，同時改善混排造成大量粒狀物進入增加效能負
荷之問題。Chamber Exhaust共管導致酸鹼混排，單片式FSI高
Chamber Exhaust共管導致酸鹼混排，單片式FSI高溫製
溫製程使用高溫SPM(H 2 SO 4 )及SC-1(NH 4 OH)。
程使用高溫SPM(H 2 SO 4 )及SC-1(NH 4 OH)，其程序如 圖9所
示，高溫硫酸(H 2 SO 4 )與雙氧水(H 2 O 2 )反應後產生220~240℃
之硫酸水霧，經過去離子水潤洗過後，接著使用氨(NH 4 OH)
與雙氧水，再使用去離子水後則進行下一次循環，由於不同
chamber使用化學品的時間不一致，Chamber Exhaust內連線
圖11、機台分流減少酸鹼氣體混合反應的粒狀污染物
為共管，則不同chamber的酸鹼皆混排而形成大量硫酸銨粒
狀物，造成風管結晶及煙囪白煙問題。根據機台廢氣流程圖
來看(如 圖10)，每兩個Chamber透過歧管(Manifold)將製程廢
氣匯集至Submain，因此排至Das Salix處理之前，早已產生大
量的銨鹽粒狀物。

FACILITY JOURNAL 03 2022 55