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TSMC/ Facility Published
如圖8(a) 所示，改善前我們採用溫度傳感器緊貼加熱 實際溫度，只有儅管路溫度高於 30℃時加熱才會停
帶的方式去控制管路溫度，此時傳感器所測量的溫度 止，因此即使在極寒天氣下也可以保證管路溫度高於
受加熱帶溫度影響，得到的管壁溫度失真。傳感器受 30℃，避免了晝夜溫差造成壓力不穩。改善前後的
熱高於 30℃會使加熱裝置停止，但傳感器所測為加 效果顯而易見，如圖8(b) 所示，在南京 2020 年 12
熱帶溫度，實際管路溫度低於 30℃，在極寒天氣下， 月氣溫 -10℃~7℃的條件下，改善前 Si 2 H 6 壓力波動
在 20psig~32psig 之間，波動上限與下限差值可達
夜晚管路溫度會驟降至更低 ( 低於 10℃ ) 造成 Si 2 H 6
冷凝為液體殘留在氣體管路中。儅白天升溫時，環境 12psig，隨即採用溫度傳感器遠離加熱帶的方式將波
溫度升高，管路溫度相應上升，會使得冷凝在管路中 動差值縮小至 2psig。因此南京廠區將其餘氣體溫度
的液態 Si 2 H 6 重新變為氣態，造成壓力上升。而改善 傳感器位置均做調整。
後溫度傳感器與加熱帶不在同一側，所測溫度為管路
(a) 溫度傳感器不同位置的控制方式
(b) 改善前後 Si 2 H 6 的壓力
圖 8：Si 2 H 6 溫度 Sensor 改善前後的比對
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