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TSMC/ Facility Published

前言

隨著半導體製程的演進，製程單元組合也多有不同， 面對此股高導放流水必使需設計大容量之高耗能蒸發
其產品類型及規格相當多樣化，因此產生之廢水種類 乾燥系統才能因應未來零排的積極目標，而相應產生
及污染物多且複雜，公司持續地新增或優化廢水系統 大量混合鹽廢棄物也將為零排的障礙，故需重新審視
以處理各項法規管制污染物並使其濃度達遠低於管制 此股廢液的處理方式，期透過相關技術將銅及磷酸純
標準。根據廠務季刊「先進半導體廠房環保設施發展 化提濃達再利用資源化。
藍圖中」所描述，台積公司在水污技術上的發展及未
來藍圖共分為數階段，而最終是希望能達對生物、 初步研擬將透過電透析、薄膜技術分離純化廢液中的磷
環 境 零 衝 擊 的 零 排 放 ZLD(Zero Liquid Discharge) 酸根離子與其他污染物，再以熱法蒸發將磷酸提濃達
目標，零廢水排放也就是將廢水轉變為可回用的水 再利用廠商允收濃度，並希望以此結果做為未來新建
及固體廢棄物，而以本廠資料計算，若水質水量 廠之評估重點，針對此技術進行初步驗證及持續優化，
4,000CMD、導電度 3,000㎲/cm 的放流水若要達到 以對未來零排目標提供可行途徑。
零排，每月會產生約 303ton 的混合鹽類廢棄物，以
先進封裝廠放流磷酸根佔比較高的水質特性進一步計
表 1：蝕刻廢液水質特性分析
算，其衍生廢棄物會佔其總量的 50%，圖1 為污泥清
運量估算，故解決含磷廢水的問題為先進封裝廠邁向 單位 蝕刻廢水
零排最重要挑戰之一。
pH - 3.0
本廠之含磷酸廢水來自先進封裝製程中使用的 LDPP 以 Conductivity mS/cm 11.8
其進行銅蝕刻及清洗而過程中產生的廢液為 W-LDPP， 3−
PO 4 mg/L 28,254
3−
其成分分析結果如表1，主要組成為 99% PO 4 及微量
之 Cu 組成，其磷酸濃度約為 3%，此股廢水起先透過 Cu mg/L 306
委外方式直接清運，而後以資源永續循環概念的構想開
H 2 O 2 mg/L 4,000
發了銅電鍍回收製程，是將廢水中的銅離子電鍍成銅
管販賣，廢液殘存之磷酸則以化學混凝方式處理放流，
竹南廠之 W-LDPP 量體為估計為 30CMD，會導致產生
864ton/year 的污泥 ( 以含水 40% 計算 )，殘餘的磷酸
根及過量添加的鈣鹽導致放流約增加 30% 的導電度，

圖 1：竹南廠零排產生之固體廢棄物之佔比

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