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TSMC / FACILITY DIVISION PUBLISHED
VOL.39
廠務季刊
URL.http://nfjournal/
TOC濾網再生技術探討
Discussion on TOC Filter Recycling Technology
文│鄭 鑫│竹科廠務一部│
關鍵詞 / Keywords 摘要
氣體分子污染物 / AMC 半導體元件之微影技術的進展隨著製程特徵尺寸(feature size)的快速
AMC 濾網再生 / AMC filter Regeneration 縮小使得製程環境污染的防治重點已由微粒轉移至氣態分子污染物(AMCs
, Airborne Molecular Contaminations)上。
在AMC濾網的大量使用下，各種濾材NH3/H2S/TOC消耗有著明顯落
差，又以TOC濾材用量最為大宗，而TOC污染物則為近年減量之重點議
題，因此如何利用TOC濾材再生技術延長TOC濾材壽命，並能達到充分
再生吸附材之最大功效，有效節省控制成本，係為降低無塵室TOC與環
境保護之重要課題，進一步達成AMC零污染的終極目標。
1. 前言 2. 文獻探討
2019年更換AMC濾網花費約新台幣10億，其中 高濃度AMC可能影響產品良率，影響包括：①造成晶圓
無塵室環境TOC濾網更換費用占40%，並每年產生 (wafer)或器材設備腐蝕：⒜製作完成的晶圓因表面長時間接觸含
廢棄物580噸。本文探討採用可再生之抽取式TOC濾 F/Cl之空氣造成表面鋁腐蝕；而銅製程晶圓表面則可能遭硫化物
網取代一次性抽取式TOC濾網之可行性及效率驗證 腐蝕。⒝機台之不鏽鋼表面受長時期F/Cl腐蝕而產生微粒。②氣
，現行TOC濾網再生手法均是以高溫(>100℃)Regen 態分子互相反應產生微粒沉積在光罩表面，或造成投影機透鏡長
air對TOC濾網進行再生，無法適用於抽取式化學濾 霾(hazing)，影響曝光功率或造成圖形變異。③AMC吸附在晶圓
網再生。主要原因為抽取式化學濾網係利用不織布 表面，藉由後續熱製程擴散至底部造成產品電性飄移，或是摻雜
夾附吸附材壓製而成，因此以高溫(>100℃)工序再 參數改變導致元件失效及良率下降。
生時，需考慮到不織布、黏合膠、羊毛氈及壓制工 濾材常用的濾除方法有物理吸附法、化學性吸附法、離子交
藝能否承受高溫(>100℃)Regen air，再生方式遠較 換法。物理吸附主要由彼此分子間之凡得瓦爾力作用而形成的微
一般活性碳再生程序複雜。因此本文採用可較低加 弱分子間力，使得氣體分子附著於固體吸附劑表面上大部分的情
熱溫度搭配負壓方式，以不破壞濾網結構並同時達 況下。化學吸附是吸附質與吸附劑的表面藉化學鍵的力而吸著的
到再生效果為目標。 現象，化學吸附有選擇性，產生的吸附熱較大活化能也較高。同
鄭鑫 H.CHENG
即使路途遙遠，也有到達的一天。目前在F12 P1/2
負責AMC系統，期許在未來會更好，人生如高空
走索，應專心一意往前看、向前走，不要回頭。
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