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現行水洗式設備Airwaher可等同於無填充物之洗滌塔，其比表面積及滯留時間無法在進行強化，故如要進行去除能力
的提效，可改變液相中的潔淨度。 Y X方向

氣相或液相中之莫耳分率(mol/mol) 載流氣體 b x i 質傳通量 載流液體
y
y
i

x

氣相
液膜
氣膜
距離(m) 液相 X
圖5、洗滌塔與水洗式設備雙膜理論示意圖

在吸附劑的選材，從 表2 可得知最佳選用策略，由於目前TSMC無塵室設計所能接受的壓損為<300pa，故應選用活
[9]
性碳吸附材進行VOC處理，但活性碳濾材對於低沸點及極性高的VOC在低濃度的狀態下(<10ug/m3)去除效果不佳，約為
高濃度(10ppm)的20%，後續可朝活性碳改質或是引進中空纖維進行去除能力的強化。

表2、吸附材值比較表
吸附材料 活性碳 分子篩 中空纖維 樹脂
特性 物理吸附 物理吸附 物理吸附 化學吸附
壓損 <100pa <1000pa <300pa <500pa
效率 >90% >99% >99% 60~70%
優點 壓損小 可再生 可再生/壓力適中 可再生
缺點 對於揮發性高VOC效果不佳 壓損大，需加壓及乾燥系統 需加壓及乾燥系統 對於VOC處理效果不佳

2.4. AMC Monitor System

為了能夠及時確認FAB與供應端的AMC汙染程度及確效污染防治設備能力及運轉狀態，根據ITSR的Monitor準則 ，
[2]
TSMC現行AMC Monitor機制，如 圖6所示，除了Tool Process端沒有即時監測外，現行的監測機制在最關鍵的無塵室有
非常良好的量測水位，各汙染物偵測極限皆可達到ppb level，能及時反應各製程區及時的汙染程度。

大環境 潔淨室 Inside chamber
ITRS POS POD POC POE POU POP
point of Supply point of delivery point of connection point of equipment point of use Point of process
Outside air Outlet of makeup Outlet of filters in Inlet of mini-environment Air in vicinity to wafer Wafer in production
air handling clean room ceiling or sub-system (e.g. FOUP/POD,
stocker,loadlock)
TSMC Routine In/off-line Routine In/off-line Routine in-line Routine in/off-line monitor Not routine monitor
monitor monitor monitor MA,MB,MC,MD
NH3,Sulfur MA,MB,MC MA,MB Witness wafers are placed in clean room
Monitor IC Impinger IC Impinger IC Impinger IC Impinger/Canister NA
device API API,TOF-MS API,TOF-MS IMS,TOF-MS
圖6、Different measure point for AMC

3. 研究方法

現行台積無塵室內的MA/MB/MD皆已提供至ppb以下等級潔淨空氣，故本計畫將以MC中尚未達到ppb的IPA/
Acetone作為主要去除目標。
TSMC AMC汙染防制措施主要可分為Filtration， Enclosure/Segregation，本計畫分成以下三種實驗驗證 : ①兩段式

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