Page 15 - Vol.39
P. 15
1
2
TSMC / FACILITY DIVISION PUBLISHED 3 4 5 6
VOL.39
廠務季刊
URL.http://nfjournal/
AMC污染源即時顯示概念總覽
The Conception of AMC Pollution Real–time monitor management
文│劉宜鑫 陳彥佑│竹科廠務二部│
關鍵詞 / Keywords 摘要
氣態分子污染物 / AMC 隨著半導體技術越來越精細微小,對於環境中微量氣態分子污染物(Airborne
資訊平台 / Information Platform Molecular Contaminants, AMC)防治問題也越來越受到重視。在AMC防治上,
可分為三方向進行 : 污染源監測控制、污染源隔離技術及污染源去除。其中,污
染源監測控制是對無塵室內可能造成污染源的設備,藉由多組資訊平台交集顯示
出高污染設備清單。當AMC污染發生時,能立即鎖定高風險設備來源,減少找洩
漏源的時間,盡速做AMC防護因應。現行設備資訊平台包含化學品供應平台(中
央供應/瓶酸供應)、設備機況查詢平台。本文提出設備資訊平台系統整合概念,
希望以區域作分類,直接顯示區域內高污染源、異常機況之設備資訊,並交集出
高風險設備清單,降低AMC Trouble shooting時間。
1. 前言
隨著半導體製程技術的演進,潔淨室環境微污染 目前台積電廠區內針對AMC控制策略大致分為:儀器
(Airborne Molecular Contamination, AMC)對產品良率的 即時監測、定期採樣分析、人員巡檢稽核、化學濾網安裝
影響也愈趨顯著。因此AMC控制技術將會面臨更嚴峻的挑 等。然而,這些防禦機制並無法提供整合性的資訊,當現
戰,進而成為高端製程中良率提升的必要手段之一。理論 場發生污染狀況時,僅能個別查詢及澄清污染相關資訊,
上,AMC控制策略最好由源頭著手,了解污染源並予以消 不僅耗費人力時間,也無法第一時間找到污染源並進行防
除乃為最佳策略。無塵室AMC污染源可分為:①外氣污染 堵,造成晶圓受污染時間增加,影響製程可靠度。因此,
:包括由廠區煙囪排放至大氣中後,再被MAU吸入之物質 針對廠區AMC防禦提升,本文將提出AMC即時顯示污染源
(含HCl、H2SO4、HF、VOCs等),以及大氣中環境背景污 定位追踪平台概念,目標為藉由結合AMC監測、人員巡檢
染值(含NH3、SO2、H2S等);②內部污染:包括製程機台 與濾網資訊,並搭配廠區機台平面圖和機台維修&使用有
維修保養、溼式清洗台作業之化學品逸散,人員違反化學 機化學清潔品等資訊,可於偵測到污染物時直接呈現該區
品使用規範所造成的洩漏污染等,甚至為無塵室內建材或 即時污染之關聯性,縮短污染處理時間,有效降低AMC造
各類器材的釋氣(Outgassing) 。 成晶圓污染之風險。
[1]
劉宜鑫 Lawson Liu 陳彥佑 Yen-Yu Chen
2009年台灣大學工程科學暨海洋工程所畢業。2011年~迄今,台積電。 2012年台灣大學生物環境工程研究所畢業。2014年~迄今,台積電。
專長:C/R空調系統 專長:C/R空調系統
證照:甲級空污 證照:游離輻射
11 12 FACILITY JOURNAL 09 2020 13 14 15 16
21 22 23 24 25 26
31 32 33 34 35 36
41 42 43 44 45 46