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                                                    TSMC / FACILITY DIVISION PUBLISHED                         29                         20
                  VOL.39
                                                         廠務季刊
                                                          URL.http://nfjournal/
                 FAB Chiller CXF Reduction–從源頭作起
                 FAB Chiller CXF Reduction from the Source
                                                                                         文│蔡豐合 黃旭杰│竹科廠務三部│
                 關鍵詞 / Keywords               摘要

                 CXF減量 / CXF Reduction            無塵室蝕刻製程環境中存在著氣態分子污染物，而相較於其他製程區域又以CXF
                 管路洩漏 / Pipe Leak             最為顯著，當CXF濃度過高時，都有可能造成半導體元件的缺陷。蝕刻機台內部及其
                 VCR接頭 / VCR Connector        附屬設備之洩漏往往是CXF污染的主要來源，而查漏CXF將造成人力及時間上的花費
                                              ，故本研究主要將洩漏原因分為兩種，一種為設備PM時的防護不足，約佔4成，另一
                                              種則是主機台至附屬機台間元件的損壞，約佔6成。為了降低CXF洩漏的次數，分別
                                              對兩種洩漏原因實施改善措施，且發現洩漏來源主要為Chiller的管路接頭，約佔總洩
                                              漏來源90%，分析後得知VCR接頭相較Swagelok接頭有較低之洩漏率，為了達到CXF
                                              源頭減量目標，本研究將相關接頭更換為VCR接頭，並統計2018年至2019年CXF
                                              alarm次數，由每季17次降低至每季9次，且更換濾網年成本節省約820萬，期望2020
                                              年目標能達到每季低於2個CXF alarm case，改善無塵室蝕刻環境內CXF汙染。





                 1.  前言

                     潔淨室氣態分子污染物(Airborne Molecular Contam-         台維修保養(preventive maintenance, PM)時防護不足以及
                 ination, AMC)可分為酸性(Acids)、鹼性(Bases)、凝結物           本身主機台或附屬設備元件之耗損。而隨著蝕刻製程的演
                 (Condensables)、及摻雜物質(Dopants)，其中凝結性有機             進、高溫Chiller數量之增加，CXF out of control/out of
                 分子污染物質一旦沈積吸附於晶圓表面，將導致元件缺陷                         spec(OOC/OOS)case也越頻繁發生，廠務端往往需花費許
                 與製程良率下降 。而蝕刻製程區又因機台常使用冷卻循                         多時間在查漏及更換濾網，即便查漏出設備漏源，設備改
                              [1]
                 環設備(Chiller)而以碳氟化合物(CXF)議題為大宗，約佔其                 善方法通常是加強防護，如架設PVC Curtain以及使用CV
                 他AMC議題80%，由於氣態分子污染物會影響產品良率，                       抽氣等暫時性的處理方法，此方法通常僅能治標而非治本
                 進一步造成異味甚至影響環境中作業人員安全與健康，故                         。故本文主要針對無塵室蝕刻環境內的CXF做源頭的減量
                 如何從源頭防治、減量已成為各半導體科技廠的重要課題                         改善。
                 。                                                     蝕刻製程環境CXF常因其機台內部及附屬設備Chiller
                     無塵室蝕刻製程環境內的CXF主要來源可分為設備機                      的管路洩漏而導致讀值偏高，而查漏CXF往往造成人力、




                                   蔡豐合  Tsai Fong He                                 黃旭杰  Syu Jie Huang
                                   2015台灣大學生物環境系統工程學系所畢業，退役於海軍陸戰隊後進入台積電，帶            台灣大學生物環境系統工程所畢業。加入F12P6運轉團隊，感謝
                                   著軍隊精神標語「不怕苦、不怕難、不怕死」的口號，在這不斷突破、創新及完善              主管及各位學長的指導帶領，讓我能順利完成本次季刊內容。
                                   的環境逆游而上，尤其在跨部門合作及溝通上受益良多，讓我看得更高更遠！                期許自己在未來能夠更加成長茁壯，為團隊帶來更多貢獻。


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