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Tech
                                                                                                    Notes
                                                                                                    技術專文


           3.3  電漿處理設備改良-CSK LSC後段灑水型式比較                     4.  結果與分析
              電漿破壞法主要工作原理 是利用電漿火炬的高溫電漿將                      4.1  製程污染物來源分析結果
                                 [04]
           CF 4 與C 2 F 6 等PFCs有害溫室效應氣體分子的化學鍵加以破壞,
                                                                 利用TLD-1節點分析法其結果如 圖12所示。其中主風管
           提供水氣使裂解後再結合成
                                                             Main1-1量測HF>1.6ppm,該主風管下游為1F Local scrubber
              HF與CO 2 ,其處理效率一般皆可以達到>99%以上。在有
                                                             處理後之製程尾氣。高濃度sub-main為ETCH及CVD區域,該
           水氣環境下主要化學反應:
                                                             區域多為SHOWA、CDO863等處理PFCs不佳共115台。依據
              C 2 F 6  + 4H 2 O → 6HF + 2CO 2  + H 2
                                                             PFCs氣體性質,由2018年至2021年更換為Plasma-LSC處理(如
              CF 4  + 2H 2 O → 4HF + CO 2
                                                             圖13)。更換後HF高濃度Sub-main減少80%(表5)。
              NF 3 +3H 2 O → 6HF + NO + NO 2
              SiH 4  + 2H 2 O → SiO 2 (s) + 4H 2
              利用後段灑水針對裂解後產生之副產物HF進行去除改善
           (如 圖9),測試第二段灑水(水柱,如 圖10)改成與第一段灑水
           (水霧,如 圖11)噴頭相同進行比較。















                                                                        圖12、分析結果HF高濃度集中Main 1-1
















                                                                            圖13、電熱式更換為電漿式


                         圖9、CSK後段灑水修改示意                                 表5、HF高濃度Sub-main前後值

                                                                                   更換前     更換後
                                                                            Tool
                                                                                   HF(ppm) HF/F2(ppm)
                                                                          Sub-main26  1.80  / 0.27
                                                                          Sub-main30  3.10  / 0.24
                                                                          Sub-main31  1.40  .6/ 0.65
                                                                          Sub-main33  1.80  / 0.32
                                                                          Sub-main34  1.10  / 0.26
                                                                          Sub-main36  1.70  .3/0.3
                                                                          Sub-main37  1.30   /0

                                                             4.2  CSK後段灑水型式對比結果分析
                 圖10、水柱噴頭                圖11、水霧噴頭
                                                                 驗證CSK後段灑水型後段灑水改良效率,將CDO863、
                                                             CSK原型、CSK(改水霧)做對照組,由 表6透過第三方檢測數
                                                                                   -
                                                             據得知改良後針對LSC出口F 有大量減少的成果。



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