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技術專文
3.3 電漿處理設備改良-CSK LSC後段灑水型式比較 4. 結果與分析
電漿破壞法主要工作原理 是利用電漿火炬的高溫電漿將 4.1 製程污染物來源分析結果
[04]
CF 4 與C 2 F 6 等PFCs有害溫室效應氣體分子的化學鍵加以破壞,
利用TLD-1節點分析法其結果如 圖12所示。其中主風管
提供水氣使裂解後再結合成
Main1-1量測HF>1.6ppm,該主風管下游為1F Local scrubber
HF與CO 2 ,其處理效率一般皆可以達到>99%以上。在有
處理後之製程尾氣。高濃度sub-main為ETCH及CVD區域,該
水氣環境下主要化學反應:
區域多為SHOWA、CDO863等處理PFCs不佳共115台。依據
C 2 F 6 + 4H 2 O → 6HF + 2CO 2 + H 2
PFCs氣體性質,由2018年至2021年更換為Plasma-LSC處理(如
CF 4 + 2H 2 O → 4HF + CO 2
圖13)。更換後HF高濃度Sub-main減少80%(表5)。
NF 3 +3H 2 O → 6HF + NO + NO 2
SiH 4 + 2H 2 O → SiO 2 (s) + 4H 2
利用後段灑水針對裂解後產生之副產物HF進行去除改善
(如 圖9),測試第二段灑水(水柱,如 圖10)改成與第一段灑水
(水霧,如 圖11)噴頭相同進行比較。
圖12、分析結果HF高濃度集中Main 1-1
圖13、電熱式更換為電漿式
圖9、CSK後段灑水修改示意 表5、HF高濃度Sub-main前後值
更換前 更換後
Tool
HF(ppm) HF/F2(ppm)
Sub-main26 1.80 / 0.27
Sub-main30 3.10 / 0.24
Sub-main31 1.40 .6/ 0.65
Sub-main33 1.80 / 0.32
Sub-main34 1.10 / 0.26
Sub-main36 1.70 .3/0.3
Sub-main37 1.30 /0
4.2 CSK後段灑水型式對比結果分析
圖10、水柱噴頭 圖11、水霧噴頭
驗證CSK後段灑水型後段灑水改良效率,將CDO863、
CSK原型、CSK(改水霧)做對照組,由 表6透過第三方檢測數
-
據得知改良後針對LSC出口F 有大量減少的成果。
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