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VOL.52 廠務季刊 光譜分析儀應用於低壓氣體品質監測之技術開發

結果與討論

4.1 OES 量測分析參數測試與選定

本 研 究 選 定 的 SPOES 機 型 為 (NANOTECH, Model: 接著本研究進一步對 SPOES 量測 SiCl 4 的訊號背景值
AEGIS-7W)，光波長監測參數選定和線上蝕刻機台 進行確認。圖5 為不同壓力狀況下，SiCl 4 的 SPOES
OES 相同之數值 337nm，以確保廠務端的檢測結果 全頻譜分析結果。實驗開始時，尚未對 SiCl 4 鋼瓶進
和機台端一致。然而本研究所採用的 SPOES 和蝕刻 行減壓，直接以正常供應壓力 190torr 進入 SPOES
機台內所裝設的並非同一種機型，為了驗證其對 N 2 的 進行分析，結果顯示 N 2 在 337nm 光波長強度會被
偵測效果，本研究將先透過 N 2 與He的 MFC控制模 SiCl 4 的背景測值蓋過，導致量測結果高出 SPOES 的
組以及串聯針閥組，測試 SPOES 在不同 N 2 濃度以及 偵測極限而失去辨別力。後續以串聯針閥模組陸續
不同壓力的條件下的反應，結果如圖4 所示。結果顯 將壓力調降至 2torr 以下，337nm 光波強度可降至
示 SPOES 不管在定壓不同 N 2 濃度，以及定 N 2 濃度 SPOES 量測範圍內，重複 5 次的再現性也相當高，
不同壓力的狀況下，對於 337nm 的光波長強度均有 差異可控在±2% 內，後續即選定 2torr 作為 OES 的
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良好的線性關係，R 值分別為 0.996 及 0.999。此結 量測壓力參數。
果也確認本研究所選用之 SPOES 機型在 337nm 光波
長強度偵測上，可有效地辨別 N 2 不純物濃度。

圖 4：SPOES 測得之 337nm 光波長強度與 N 2 濃度及壓力之關係圖

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