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Local scrubber入口高濃度需求，
表４、FTIR 儀器光鏡長度比較表
如 表4與 圖10 ，故選定FTIR其進行
實測。早期Brandon等人 [3,4] 將FTIR
儀器 偵測方式 光鏡長度 Max 量測濃度
應用於電子零件包裝廠和煉鋁廠等
工作 場所，而應用於半導體廠房
FTIR 單點式 1cm/10cm/1m/10m 100,000 ppm
內氣體之量測，則以Levine等人 [5-7]
ACM-150 多點式(Max 60點) 5 m 300~400 ppm 所發表之相關論文最多也最詳盡，
其重點多以評估其定性、定量之可
行性為主；另有Chang等人 [8,9] 發表
圖10、DAS ESCAPE DUO DRE test（Burn type LSC）
亦可量測到SF6、CF4、IPA (異丙
醇)等化合物；葉等人 [10] 將其用於
45000
量測乾式洗滌塔入、出口進行效能
40000 NF 3 評估，為本研究效法對象。
CH 2F 2
35000 CF 4
SiCl 4
30000 CH 3F DRE量測方法
LSC Inlet (ppm) 25000 濃度過高，不適用 HBr 製程廢氣由主機台經真空泵(Dry
Cl 2
CHF 3
20000
H 2
pump)排入Local scrubber處理，
15000 本研究試驗係於Local scrubber
入口端及出口端各別架設FTIR，
10000
如 圖11 ，量測製程廢氣經由Local
5000
scrubber處理前、後濃度，進而換
0 算成廢氣削減效率(DRE)，運算公
14:24 14:52 15:21 15:50 16:19 16:48 17:16
式如下。
1200
NF 3 NO 2
1000
SiCl 4 NO
HBr C 2H 4
CO
LSC Outlet (ppm) 600 CH 3F Cl 2
CH 2F 2
800
CHF 3
H 2
CF 4
400
200
where
0
14:38 15:07 15:36 16:04 16:33 17:02 i : gas as CF 4 , SF 6 , SiH 4 , etc.
Time of Day, day hh:mm
j : inlet/outlet
M : mass, g
C : volumetric gas concentration,
圖11、FTIR量測架構圖 parts per million by volume,
ppmv (760torr.~298K)
Processing chamber
Main Tool Q : volumetric gas flow rate, lpm
ρ : gas density, g/l
Pump
LSC
Wafer Foreline Q in/ C in Q out/ C out
Exhaust
結果與分析
FTIR FTIR

EPI Function DRE Result

DAS STYRAX Local scrubber用

300mm FABS FACILITY JOURNAL JUNE 2018 71