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Tech
Notes
技術專文

於N-EP I 製程，其製程廢氣中指
圖12、廠內實測DRE test (DAS STYRAX)
標物種為SiH 2 Cl 2 (Dichlorosilane,
D C S)，廠內實測結果如 圖12，
60,000
Local scrubber入口SiH 2 Cl 2 濃度最 16,000
inlet-HCl SiCl 2H 2 DRE Spec. = 16,381 ppm
高 9,274 ppm，並在Local scrub- 14,000 50,000
inlet-SiCl 2H 2
ber無檢測出SiH 2 Cl 2 ，DRE試算符合 12,000
40,000
工研院測試(大於99.9%)，但「正 10,000
常生產」時Local scrubber入口濃 DCS (ppm) 8,000 30,000 HCl (ppm)
度遠小於「工研院DRE報告」中濃 6,000 20,000
度(16,381 ppm)，如 表5 ，可評估 inlet
4,000 量測數值
調整Local scrubber瓦斯與空氣配 10,000
2,000
比，避免能源浪費。
0 0
14:09 14:16 14:24 14:31 14:38 14:45 14:52
Edwards Helios Local scrubber用 Time
於P-EPI製程，廠內實測結果如 圖 1
13 ，Local scrubber入口SiH 2 Cl 2 濃度 0.9
outlet-SiCl 2H 2
最高10,734 ppm，並在出口端檢 0.8
0.7
測出濃度最高2.34 ppm，DRE試
算符合工研院測試(大於99.9%)， DSC (ppm) 0.6
0.5
但「正常生產」時Local scrubber 0.4
入口濃度僅略小於「工研院DRE報 0.3
outlet
告」中濃度(12,000 ppm)，如 表 0.2 量測數值
6，則不考慮調整Local scrubber相 0.1
關參數。 0
14:09 14:16 14:24 14:31 14:38 14:45 14:52
Time

ETCH Function DRE Result
Edwards Atlas Local scrubber用 圖13、廠內實測DRE test (Edwards Helios)
於ETCH製程，其製程廢氣中指標
物種為CF 4 (Tetrafluoromethane)， 60,000
14,000
廠內實測結果如 圖14 ，Local scru- inlet-HCl SiCl 2H 2 DRE Spec. = 12,000 ppm
12,000 50,000
bber入口CF 4 濃度最高1,550ppm， inlet-SiCl 2H 2
10,000 40,000
並在出口端檢測出濃度最高1.51
ppm，DRE試算與工研院測試相 SiCl 2H 2 (ppm) 8,000 30,000 HCl (ppm)
近(99.5%)，但「正常生產」時 6,000
Local scrubber入口濃度遠小於 4,000 inlet 20,000
量測數值
「工研院DRE報告」中濃度(7,327 10,000
2,000
ppm)，如 表7，出口端反而有
0 0
CO(~126ppm)、NO(~33.7ppm)、 15:44 15:47 15:50 15:53 15:56 15:59 16:01 16:04
Time
HNO 2 (~1.1ppm)等副產物生成，
3 250
判斷為Local scrubber瓦斯與空氣
用量過多，大於正常生產時所需用 2.5 outlet-CH 4
outlet-CCl 2O 200
量，導致O 2 與N 2 燃燒反應生成。 outlet-CO
2 outlet-C 2H 4
SiCl 2H 2 (ppm) 1.5 By-product (ppm)
2N 2 + 3O 2 → 2NO + 2NO 2 outlet-SiCl 2H 2 150
為證實上述論點，將Edwards Atlas 100
Local scrubber於「不進氣」狀態 1
outlet
下進行空燒，即Local scru-bber僅 0.5 量測數值 50
通入瓦斯及空氣燃燒排放，則出口
0 0
端有CO(~60.7ppm)、HNO 2 (~0.62
15:44 15:47 15:50 15:53 15:56 15:59 16:01 16:04
Time
ppm)生成，如 圖15，其中HNO 2
易分解為NOx，故證實L o c al

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