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而額外產出By-product。 a Common Semiconductor Work-
place by Using New Open Path
– 廠內實測DRE皆99.5%以上，大 FTIR Spectroscopy Approach”, The
Third Asian Conference on Analytical
於台積規範5~10%，仍有空間調 Sciences, Seoul , Korea: 62 .
整。 [10] 葉銘鵬，吳榮泰，余榮彬，1999，應用
霍式紅外光譜法調查半導體廠製程危害
溫室效應日益重視，國際巴黎協定 性氣體，工業技術研究院工業安全衛生
發展中心。
及國內溫管法紛紛提出相關減量 [11] 錢建嵩(2007), The Characterization
政策，台積電針對PFCs氣體設置 of Combustion for Large Objects in a
Bubbling Fluidized Bed Incinerator.
Local scrubber削減處理，為確保 [12] Chinggaam Lin, C.H. Tsai, and L. D.
Chen (1999), Operational Practices of
削減效率，大多以「Worst Case」
Scrubber Systems in Semiconductor.
進行參數設定，實際生產時濃度負 [13] 張勝祈(2008)，晶圓廠區洗滌設備異常
載率小於50%，進而衍生副產物及 事件之風險評估與改善對策。
[14] 環保署，空氣污染防制法，2014。
能源浪費等問題，為了解決一次汙 [15] 環保署，半導體製造業空氣污染管制及
染，反而製造了二次汙染。在能源 排放標準，2002。
[16] 行政院環保署發布，「2015年中華民國
緊縮的未來，更需重新審視Local 國家溫室氣體清冊報告」，民國104年2
scrubber設置的精準性，並與供應 月26日。
[17] 關於氮氧化物對環境的危害及汙染
商及學術界合作研發削減效能連續
控制技術，2012。(http://big.hi138.
監測，配合產線負載，適時調整運 com/gongxue/huanjinggongcheng/
201211/428892.asp#.WKBoo2997cs)
轉參數，既可使削減效率達標又不
對環境造成額外負擔。

參考文獻
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300mm FABS FACILITY JOURNAL JUNE 2018 75