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Tech
Notes
技術專文
2.1. AMCs定義及分類 二氯甲烷屬於管制性毒化物,調查廠內無使用此類毒 周界Canister採樣 南科八路底 環西路 北園二路
100
化物,因此此物種不是由廠內的製程廢氣排放影響,是廠 90
美國國際半導體設備與材料公會(Semiconductor
區周界擴散造成,也是南科園區產業的特性,竹科中科沒 80
Equipment and Materials International, SEMI)在其所公佈 70
有這個物種干擾的情況發生。
之SEMI standard(SEMI F21-95, F21-1102)中,即將無塵室 60
F14B長期進行廠區周界進行例行性採樣分析,如 圖3 50
空氣分子污染物 AMC主要區分為四類,如 圖1:①酸性 40
,分析之結果可發現周界會有不定期之高值產生,若外氣
(Acids):腐蝕性物質,具有化學反應中的電子接受者之反 30
擴散條件不佳時,就可能被廠內的MAU吸入進入無塵室, 20
應特性。如:氫氟酸、硫酸、氫氯酸、硝酸、磷酸、氫溴
因此在此物種的防禦上,需持續量測及建立即早監測系統 10
酸。簡稱為MA。②鹼性(Bases):亦為腐蝕性物質,在化 0
,並開發能防禦此物種的濾網。 5/18 5/25 6/1 6/8 6/15 6/22 6/29 7/6 7/13 7/20 7/27 8/3 8/10 8/17 8/24 8/31 9/7 9/14 9/21 9/28 10/5 10/12 10/19
學反應中為電子提供者,此類之化合物容易與酸性物質作
MAU
用產生鹽類(salt)。如:氨、氫氧化銨、四甲基氫氧化銨、
2.4. MAU外氣 & CR內循環
三甲基氨、三乙基氨、六甲基雙矽烷、1-甲基2-比咯啶酮
、環己基氨、二乙基氨乙醇、甲基氨、二甲基氨、二乙醇 承接上述,簡述外氣進入無塵室的單元,如 圖4,外
氨、嗎啡林。簡稱為MB。③凝結物(Condensables, MC): 氣自屋頂進氣口導入有預濾網過濾,接著MAU進行溫濕度
定義為在常壓下,沸點高於室溫且可以凝結在乾淨表面之 調整,再由AMC濾網/HEPA過濾酸、鹼、TOC、Particle,
化學物質(水除外),所以在半導體廠會凝結於晶圓上。如 導入回風區與Sub-FAB的回風混合後,經FFU上方AMC濾
:矽康、碳氫化合物。④摻雜物(Dopants, MD):指會改 網及下方ULPA過濾送入FAB,機台上方另外有FFU及AMC
變半導體材料電性之化學元素。如:硼(B,通常為硼酸或 濾網,機台也有自己內部的AMC濾網,過程中有多道濾網 圖3、南科二氯甲烷來源分析
三氟化硼)、磷(P,通常為有機磷)、砷(As,通常為砷酸鹽) 進行內部污染及外部污染的防禦,當Inline及Offline監控系
。⑤未分類(No classes) : IPA、Acetone及二氯甲烷都屬於 統出現預警報,立即進行污染源尋找,防堵改善。
Pre-Filter/ Coil Air Coil AMC Filter HEPA
此類。 Bag Filter washer Filter
2.5. 解決二氯甲烷之氣態汙染物方法 Penthouse
Pre-Filter
2.2. 二氯甲烷特性及對產品可能影響 MAU 進氣口
對於二氯甲烷的去除方法,依據參考文獻 [1][2][10] 發現可 MAU MA
OA
二氯甲烷是低沸點無色透明易揮發液體,是重要的有 分為物理吸附與化學吸附方面去探討。
機溶劑,廣泛用於工業上,具有廣譜的溶解力、低沸點以 吸附機制可依吸附作用力的大小來區分為物理吸附與
及相對而言毒性最低和最好的反應惰性,使其成為有機合 化學吸附。物理吸附主要由凡德瓦爾力(Van der Waals
FFU AMC filter FFU AMC filter 濾網牆
成中使用頻率位居第一的有機溶劑 。 force)產生的行為,大部分的情況下,倫敦擴散力(London
[2]
2016年~2018年南科共發生3次OOC/OOS狀況,持續 dispersion force)是凡德瓦爾力的主要來源 [3][10] ,一般物理 無塵室
台
機
ULPA 機台 AMC filter
追蹤對產品是否有影響,後來發現在KLA & WAT & CP的 吸附是由倫敦擴散力與靜電吸引力所形成。化學吸附是吸 Filter GC/MS 監測位置
機
部
內
台
表現均無異常。不過在製程上,Cl-會佔據不飽和鍵造成表 附質與吸附劑間產生化學鍵結,會導致材料特性改變。當 生產機台 2 機台內部 生產機台 1 環境
面污染,影響附著能力,如 圖2,而二氯甲烷中含有Cl2, 形成共價鍵時,稱為強化學吸附;形成離子鍵,稱為弱化
若解離出Cl-是否會對產品造成影響,需再持續關注。 學吸附 。本文研究,共有4項改善方法(提高活性碳比表面 圖4、MAU外氣&CR內循環示意圖及濾網安裝位置
[2]
積、活性碳添加金屬離子、觸媒改質、氧化還原-光觸媒
2.3. 南科二氯甲烷來源分析 ) [5][6][7][8][9] ,觸媒改質及氧化還原-光觸媒需在要求的溫溼度 條件下才能獲得較佳反應,且副產物可能影響產品,故不 1100℃)去除表面層的原子,使活性碳形成較多孔隙,增加
選擇此類當作改質方法,擬以提高活性碳比表面積及活性 活性碳表面積。化學性(藥品活化),將碳原料均勻浸漬於
碳添加金屬離子作為本研究改質方法進行後續實驗,以下 活化劑中,藉藥品之脫水及氧化反應,使原料發生膨脹,
就這2項解決方式進行說明。 並在熱解過程中,減少活性碳之中孔隙之堵塞。
本研究活性碳改質之一是使用物理性活化法,避免化
• 提高活性碳比表面積
學性活化可能造成化學釋氣污染的風險。
活性碳對於二氯甲烷應為物理吸附機制,目前化學濾
• 活性碳添加金屬離子
網的活性碳的比表面積落於800-1000m2/g。可以增加活
性碳的比表面積>1000m2/g,增加更多的微孔,提升活性 當污染物易於金屬起反應,便可浸泡特定金屬在活性
碳之吸附能力,藉此來提升捕抓二氯甲烷之機率。提高比 碳,藉以增加去除效果。然而二氯甲烷反應屬於硬酸。因
表面積的方法都是以活化的方法,而活化有物理性(蒸氣活 此,根據Pearson之軟硬酸鹼理論(其基礎是酸鹼電子論)之
化、二氧化碳活化、氧氣活化),利用氣體在高溫下(800- 描述「硬親硬、軟親軟」 ,其生成物較為穩定。所以在活
[2]
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