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技術專文

1. 前言 表1、排放管道標準值

有鑒於有害空氣污染物(Hazardous Air Pollutants, HAP)對 中文名稱 汙染源種類 排放管道標準值 周界標準值 換算係數a
砷及其化合物 新設汙染源 依第四條所列方法計算 0.07ug/m 3 3.97*10 -8
民眾健康危害影響備受關注，為有效改善HAP排放保護民眾 (7440-38-2) 既存汙染源
健康，環保署於110年2月26日訂定發布「固定污染源有害空
[01]
氣污染物排放標準」 。納管項目含重金屬及其化合物(砷、 第四條所列方法參考 圖1 :
鈹、鎘、鈷、鉛、汞、鎳、六價鉻)、有機性有害空氣污染物
① 低排放管道，即h≦6m(公尺)時 :
(甲醛、乙醛、丁二烯、苯、苯乙烯等)、其他類(石綿、氟化
物、聯胺、多氯聯苯)共73項。 q=axb 2
半導體製程的離子植入(Ion Implantation Process) 廣泛使
用砷化氫(Arsine, AsH 3 )作為摻質(Dopant)，其為無色無臭之高 其中，b=污染源之排放管道口至該污染源周界之最短水
毒性氣體，機台端使用後的砷化氫透過排氣系統、現址式及 平距離，其單位為ｍ(公尺)。
末端空污防治設備處理後排放至環境中。砷及其化合物除列 ② 高排放管道，即h>6m時 :
為固定污染源有害空氣污染物法規納管項目，以國際癌症總
⑴ b≧5(h-6)
署(IARC)之致癌性區分，其歸類為人體致癌物(Group 1)，為避
q=axb' 2
免健康危害與環境污染，不僅需達到法律規範的排放標準，
更需嚴格地管制其在煙道的排放量。
其中，b'=污染源之排放管道口至該污染源周界線上垂
目前廠內透過AsH 3 製程設備端設置吸附式的現址式空污
直高度6m(公尺)處之最短距離，其單位為ｍ(公尺)。
處理設備(Local Scrubber, LSC)，即時處理含AsH 3 之製程尾
氣，透過定義時間及處理後濃度評估吸附桶更換標準，再輔 ⑵ b<5(h-6)
以煙道檢測檢視排放狀況。 q=axb" 2
F14B廠區於109年園區健康風險評估計畫中砷及其化合物
檢測濃度偏高，雖無超過法規標準，但基於社會企業責任廠 其中，b"=以污染源之排放管道口中心為頂點向下十二
內仍有降低排放濃度的必要性，於是針對廠區現有AsH 3 處理 度俯角所形成之圓錐與他人建築物(無人留守之倉庫除
防治設備的維護與管理需再深入探討與提出改善。 外)相交時，自該排放管道口中心至該建築物之最短距
離，其單位為ｍ(公尺)。
1.1 研究動機
⑶ b<5(h-6)且無前述⑵之狀況，即污染源距離建築物
因應環保署新增半導體煙道有害空氣汙染物排放限值，
甚遠或建築物低於6m(公尺)，致以污染源之排放管
其公告管制污染物種中砷及其化合物，已知於廠內相關製程
道口中心為頂點向下十二度俯角所形成之圓錐與他
使用砷化氫後將排放產生，需先檢視廠區砷及其化合物排放
人建築物並無相交時。
現況及對應防治設備處理效能，如有超標需降低其排放量
q=ax25x(h-6) 2
1.2 研究目的

• 計算半導體煙道砷及其化合物排放限值，檢視廠區砷排
放現況。
• 針對廠內現有處理砷化氫之現址式空污防治設備及其維
護與更換標準進行檢視，訂定可供他廠參考之現址式空
污防治設備吸附桶更換年限。

2. 文獻探討

2.1 砷化氫排放管道限值

因應環保署新增半導體煙道有害空氣汙染物排放限值，
其公告管制污染物種中砷排放標準如下，其排放管道之有害 圖1、砷及其化合物排放管道標準計算公式
空氣污染物排放標準，依下列方法(表1)計算：

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