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儲槽接界面的連接接需要非常嚴謹,避免漏氣問題的發生。                   [01]  及比較其他廠的使用機型,F15A內Aquabate+Escape有較大H 2
                    台積電針對廢氫氣歸類為燃燒性氣體,並針對出口排放                       洩漏風險,比較3台的設計構思,由於廢氣含有HCl具有很高
                標準訂定為10% LEL避免風管內部爆炸的風險,故須設置LSC                    的腐蝕性,早期的設計皆採用先水洗,在燃燒水洗的方式進行
                於機台排氣端進行尾氣處理,而LSC一般設計為透過H 2 高溫氧                    處理,但由前段水洗使用大量的抗腐蝕塑料元件所組成,塑料
                化生成水的特性將其反應為無害的水氣,減少廢氣的危害性。                        比起金屬可能會因為長時間的脆化導致破裂,加上氫氣容易逸
                                                                   散的特性,使前段大面積的水洗LSC給予更大的洩漏風險,使
                2.2  EPI製程及廢氣處理程序
                                                                   F15A的氫氣洩漏的件數遠高於其他廠區。
                    矽晶圓的生產過程中,Wafer表面的矽晶利用氣相化學沉
                積(CVD),於Chamber內通入SiCl 4 氣體與H 2 於高溫下反應,如
                圖1,考慮製程氣體副產物及,未參與反應的氣體,可以簡易
                歸納出廢氣成分主要為SiCl 4 、H 2 及HCl。
                    從EPI的廢氣組成,主要有爆炸性的H 2 氣體及腐蝕性的
                HCl,LSC設計主要就可以利用燃燒的高溫反應H 2 及水洗的
                方式吸收HCl於液相中減少廢氣的危害性,目前台積電針
                對EPI基於燃燒水洗處理的LSC主要有3種,如 圖2分別為為
                DAS Aquabate+Escape、DAS Styrax及Edward Helios,DAS                   圖1、CVD-EPI的反應
                Aquabate+Escape以F15A為大宗,基於F15A廠內的使用經驗




































                                                    圖2、TSMC CVD-EPI各廠LSC的選用



                3.  研究方法

                    目前F15A內DAS Aquabate+Escape安裝共96台,佔             3.1  案例一_物料異常
                TSMC約50%,主要為N28製程EPI主要的LSC,透過廠內的實
                                                                       F15A EPI某附屬的DAS Aquabate+Escape機台,經ISEP風
                際運轉經驗及發生案例去探討氫氣洩漏風險評估及管理,消
                                                                   管內GMS檢測到約200ppm的H 2 讀值,經確認為水洗段入口
                除EPI的LSC所造成的氫氣洩漏虛驚。
                                                                   Bellow長期受特氣腐蝕造成孔蝕(砂孔)導致H 2 洩漏。(圖3)





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