TSMC 廠務季刊

2016.9, Vol.23 / 技術專文

文 | 江宜蓁 | 奈米材料中心一部 | 曾誌江 | 新廠設計部 |

在半導體製程中，改善晶圓缺陷為提昇良率重要的一環。以化學機械研磨中的刮傷缺陷之改善為例，一般常見手法為裝置濾心以降低研磨液中微粒子數，但目前過濾方法的效果十分有限。本研究顛覆過去既有的過濾思維，在半導體業首創掃流式...

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2015.6, Vol.18 / 技術專文

文 | 江宜蓁 | 陳怡蒼 | 曾誌江 | 新廠設計部 |

隨著半導體製程緊湊步伐的演進，化學機械研磨(Chemical-Mechanical Planarization, CMP)，將面臨許多技術瓶頸，刮傷缺陷(scratch defect)即為一例，本文將介紹如何在化學...

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2013.6, Vol.10 / 技術專文

文 | 徐銘宗 | 新廠設計部 | 江宜蓁 | 十二B 廠廠務工程專案 | 謝欣容 | 十二B 廠廠務工程專案 |

本文將討論半導體廠化學品及化學研磨液供應系統微粒子控制的設計和改進的方向以及未來的晶圓廠化學品及化學研磨液供應系統新挑戰。其次，研究化學研磨液顆粒大小和穩定性，以管理研磨液使用時間、減少缺陷，特別是大顆粒粒子（LP...

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