TSMC 廠務季刊

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2020.6, Vol.36 / 技術專文

文 | 翁儷瑜 | 張育正 | 王義信 | 新廠設計部氣體及化學工程課 |

化學機械研磨(CMP)製程是半導體製程中達到全面平坦化(global planarization)的主要關鍵技術。影響化學機械平坦化的因子包含可調節、可稀釋的研磨液(slurry)，以及相匹配的研磨墊(pad)，轉速，下...

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2018.9, Vol.31 / 技術專文

文 | 鄭權慶 | 中科廠務二部 |

半導體產業於廢水處理系統中，研磨廢水的部份採用混凝沉降的方法進行處理。而混凝沉降方式主要在於降低水中粒子間的相斥電位，相互接觸凝集而達到固液分離的目的(電性中和)，而混凝劑及膠凝劑加藥量控制精準與否？將影響最終處理...

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2016.9, Vol.23 / 技術專文

文 | 江宜蓁 | 奈米材料中心一部 | 曾誌江 | 新廠設計部 |

在半導體製程中，改善晶圓缺陷為提昇良率重要的一環。以化學機械研磨中的刮傷缺陷之改善為例，一般常見手法為裝置濾心以降低研磨液中微粒子數，但目前過濾方法的效果十分有限。本研究顛覆過去既有的過濾思維，在半導體業首創掃流式...

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