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2023.12, Vol.52 / 技術專文
Slurry Quality defense-SDS On-type Drum IQC
品質把關-化學研磨液原液直供系統強化品質檢驗
文 | 孫聖哲 | 新竹廠務六部 |
化學研磨供應系統的原液直供型系統對於原物料品質監控的防禦機制不足，當物料異常時只能在供應桶槽量測時才能發現，但此時已經供應至機台端造成線上影響。故本篇對原液直供型系統以現有系統架構新增原物料桶品質量測機制，當原物料...

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2023.12, Vol.52 / 技術專文
Optimization of Hydrogen Peroxide Concentration Measurement in Slurry Supply System
化學研磨液供應系統H2O2濃度測量優化
文 | 潘明楷 | 台中廠務二部 |
本篇文章介紹氣化系統在面對新世代製程的需求下，對化學研磨液線上雙氧水濃度測量穩定性的改善。文章針對自動滴定儀(ATRS)的三大儀器架構進行改良，包括取樣元件、滴定元件和反應槽各自的缺點。
經過實驗討論...

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2022.12, Vol.48 / 技術專文
SDS load cell mixing function upgrade and improve the mixing quality
SDS load cell混酸架構升級與供應不停線之品質精進管理
文 | 廖孜康 | 新竹廠務六部 | 丘濟瑋 | 新竹廠務四部 |
隨著化學機械研磨製程(Chemical-Mechanical Planarization, CMP)技術不斷演進，因應不同新製程需求轉變下，研磨液 (Slurry)新物料的開發數量持續提升，使得研磨液配方調整需求日益頻繁...

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2020.6, Vol.36 / 技術專文
A Study of Slurry Supply Quality during Stage Transfer from Advanced Process to Mass Production : A Case of WMG Slurry
先進製程轉量產之研磨液供應品質探討─以鎢金屬閘極製程研磨液為例
文 | 邱懷德 | 劉俊男 | 中科廠務五部 |
半導體製程中，積體電路的線路由微影顯像及光阻蝕刻的方式製造，線路的厚度則是藉由化學機械研磨(Chemical- Mechanical Planarization, CMP)的平坦化製程所控制。隨著製程線寬的微縮，CMP製...

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2020.6, Vol.36 / 技術專文
Investigation on a Novel Slurry Blending Technology for Advanced Semiconductor
先進半導體製程研磨液之新混酸技術探討
文 | 翁儷瑜 | 張育正 | 王義信 | 新廠設計部 氣體及化學工程課 |
化學機械研磨(CMP)製程是半導體製程中達到全面平坦化(global planarization)的主要關鍵技術。影響化學機械平坦化的因子包含可調節、可稀釋的研磨液(slurry)，以及相匹配的研磨墊(pad)，轉速，下...

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2020.6, Vol.36 / 技術專文
Pratices of Cobalt Sulfate Wastewater Recycling as a Realization of Circular Economy
論含硫酸鈷廢水循環經濟再利用之實務處理方法
文 | 曾宏升 | 蔡宇軒 | 王世民 | 竹科廠務五部 水處理二課 |
台積竹科十二吋廠區生產先進製程晶圓，其機台將排放含鈷廢水，排放規劃則依據排水含鈷濃度從機台進行分流，低濃度含鈷廢水(<100mg/L)導入鈷樹脂提濃系統處理，高濃度廢液(2,300mg/L)委外清運，隨著先進製程產...

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點閱 (75)
2018.9, Vol.31 / 技術專文
Application of Near Infrared in the Detection of Slurry
談近紅外線光譜於研磨液檢測之應用
文 | 許紹鵬 | 南科廠務二部 |
目前研磨液供應系統的線上雙氧水濃度儀使用氧化還原滴定分析法，單筆分析時間長，在運轉維護上需消耗人、物力且分析過程產生的廢液也會造成環境衝擊；此外，傳統研磨液品質分析量測項目，已無法滿足線上晶圓生產品質需求。本文研究...

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2017.9, Vol.27 / 技術專文
Improvement of Slurry Dispense System
化學研磨液供應系統的改善
文 | 孫聖哲 | 竹科廠務四部 |
隨著半導體產業日新月異的發展，整條製程產線上從化學品供應系統到設備機台都須不斷地強化更新。本篇著重在化學研磨液供應系統的強化。現今化學研磨液供應系統雖趨於成熟，但為了因應新物料的產生、使用者需求、更精準的品質以及強...

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2016.9, Vol.23 / 技術專文
New Revolution in Slurry Filtration System - Cross Flow Filtration
研磨液過濾系統新革命 - 掃流過濾
文 | 江宜蓁 | 奈米材料中心一部 | 曾誌江 | 新廠設計部 |
在半導體製程中，改善晶圓缺陷為提昇良率重要的一環。以化學機械研磨中的刮傷缺陷之改善為例，一般常見手法為裝置濾心以降低研磨液中微粒子數，但目前過濾方法的效果十分有限。本研究顛覆過去既有的過濾思維，在半導體業首創掃流式...

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2015.6, Vol.18 / 技術專文
LPC(Large Particle Count) Control
STI 化學機械研磨液之微粒子數量控制
文 | 江宜蓁 | 陳怡蒼 | 曾誌江 | 新廠設計部 |
隨著半導體製程緊湊步伐的演進，化學機械研磨(Chemical-Mechanical Planarization, CMP)，將面臨許多技術瓶頸，刮傷缺陷(scratch defect)即為一例，本文將介紹如何在化學...

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2013.6, Vol.10 / 技術專文
Advanced Chemical and Slurry Supply with Particle Control
先進半導體廠化學品供應系統及微粒子控制
文 | 徐銘宗 | 新廠設計部 | 江宜蓁 | 十二B 廠廠務工程專案 | 謝欣容 | 十二B 廠廠務工程專案 |
本文將討論半導體廠化學品及化學研磨液供應系統微粒子控制的設計和改進的方向以及未來的晶圓廠化學品及化學研磨液供應系統新挑戰。其次，研究化學研磨液顆粒大小和穩定性，以管理研磨液使用時間、減少缺陷，特別是大顆粒粒子（LP...

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