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氣化 Gas & Chemical 72 最新文章 熱門文章 按讚數
Vol.36 / 技術專文
Investigation on a Novel Slurry Blending Technology for Advanced Semiconductor
先進半導體製程研磨液之新混酸技術探討
化學機械研磨(CMP)製程是半導體製程中達到全面平坦化(global planarization)的主要關鍵技術。影響化學機械平坦化的因子包含可調節、可稀釋的研磨液(slurry),以及相匹配的研磨墊(pad),轉速,下...

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點閱 (59)
Vol.36 / 技術專文
Application of Supply Quality Check for Process Gas Materials - A Case of C3H6
製程氣體原物料供應品質監測實務應用─以丙烯為例
檢視製程氣體供應系統可發現,特殊氣體原物料品質監測屬於品質把關較不足的一塊,目前運轉供應上僅能依靠廠商提供原物料檢驗報告及既有供應系統的鋼瓶壓力來檢視供應品質,若能導入高精度且能於供應鋼瓶上線前防守,定能提高整體供應系統...

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點閱 (178)
Vol.36 / 技術專文
A Study of Slurry Supply Quality during Stage Transfer from Advanced Process to Mass Production : A Case of WMG Slurry
先進製程轉量產之研磨液供應品質探討─以鎢金屬閘極製程研磨液為例
半導體製程中,積體電路的線路由微影顯像及光阻蝕刻的方式製造,線路的厚度則是藉由化學機械研磨(Chemical- Mechanical Planarization, CMP)的平坦化製程所控制。隨著製程線寬的微縮,CMP製...

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點閱 (166)
Vol.36 / 技術專文
Method and Practice of Chemical Dispense Unit Control System Upgrade without Supply Interruption
化學供應系統之控制單元執行不中斷供應的升級方法與實務
隨著半導體製程由N4X演變至N3,廠務化學品供應系統(CDU)也須同步進化,但在2008年建立之舊式化學品供應系統設計已不符現況,且系統供應商部門解散,造成廠務進化的腳步停滯,必須研擬出新的方法突破現況,以符合N3之先進...

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點閱 (44)
Vol.36 / 新象新知
New Generation Particle Measurement Technique for Liquid Phase Chemical
新世代液相化學品微粒量測技術
本文介紹一套由公司和工研院共同合作開發液相化學品微粒量測系統,又稱超級微粒量測儀(SuperSizer, SS)。有別於一般市面上常見的液體微粒計術器(LPC)僅能測至20 nm的微粒,且僅能提供4至5道粒徑區間的測值,...

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點閱 (58)
Vol.36 / 技術專文
Founding and Application of Advanced Chemical Supply System Data
先進化學供應系統基礎數據建立與應用探討
科技不斷進步,資訊串流、大數據分析等應用已成為先進半導體廠重要技術指標之一,雖然廠務供應系統已有完整網域監控架構,但運轉資訊往往因為設備系統商不同,造成監控網域各自平行運作,本研究以OPC server整合多家通訊協定,...

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點閱 (40)
Vol.39 / 技術專文
Zero Contamination Supply Roadmap of AMC
AMC潔淨空氣展望
隨著半導體製程製程的演進,AMC(Airborne Molecular Contamination)對於製程的良率越來越重要,現行存在於MC中的低分子量汙染物(IPA/Acetone)為目前台積電半導體製程的良率瓶頸,為...

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點閱 (67)
Vol.39 / 技術專文
Discussion on TOC Filter Recycling Technology            
TOC濾網再生技術探討
半導體元件之微影技術的進展隨著製程特徵尺寸(feature size)的快速縮小使得製程環境污染的防治重點已由微粒轉移至氣態分子污染物(AMCs , Airborne Molecular Contaminations)上...

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點閱 (46)
Vol.39 / 技術專文
The Conception of AMC Pollution Real–time monitor management
AMC污染源即時顯示概念總覽
隨著半導體技術越來越精細微小,對於環境中微量氣態分子污染物(Airborne Molecular Contaminants, AMC)防治問題也越來越受到重視。在AMC防治上,可分為三方向進行 : 污染源監測控制、污染源...

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點閱 (30)
Vol.39 / 技術專文
ECP/B.S. Area IPA total solution and management
防微杜漸–ECP/B.S區環境IPA全面改善及管理機制
隨著製程演進,製程對環境氣膠微汙染控制(AMC)品質要求更嚴格,以ECP/B.S.為例,環境異丙醇(Isopropyl Alcohol, IPA)濃度控制目標值再下降75%,ECP/B.S.區IPA主要來源為外氣空調箱(...

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點閱 (33)
Vol.39 / 技術專文
FAB Chiller CXF Reduction from the Source
FAB Chiller CXF Reduction–從源頭作起
無塵室蝕刻製程環境中存在著氣態分子污染物,而相較於其他製程區域又以CXF最為顯著,當CXF濃度過高時,都有可能造成半導體元件的缺陷。蝕刻機台內部及其附屬設備之洩漏往往是CXF污染的主要來源,而查漏CXF將造成人力及時間上...

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點閱 (29)
Vol.39 / 技術專文
AMC Improvement Using CFD Analysis in CUP Area
從空污及煙流模擬改善運轉廠區AMC微污染
半導體廠房因土地空間的限制將煙囪設計於廠房的屋頂,當煙囪與外氣空調箱進氣口設計不良時導致污染物被MAU吸入至廠房內,形成AMC微污染。本文研究減少MAU進氣口受到污染物的影響,首先利用IC放樣得知冬天(東北季風)時進氣口...

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點閱 (29)
Vol.39 / 技術專文
Response Methodology of AMC Contamination and Recovery Procedure
AMC污染應變對策及復原程序
目前TSMC緊急應變內控作業流程,有針對異味、氣體、化學品洩漏訂立一套處理流程。然而針對氣體、化學品洩漏處理流程,皆是朝硬體設備的復原方向進行,對於洩漏所產生的AMC汙染並沒有說明該如何緊急應變。因此想藉由此次探討,建立...

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點閱 (30)
Vol.39 / 技術專文
Intelligent monitoring Method in AMC is applied to Litho Lens for early pollution prevention and filter efficiency detection mechanism
AMC智能監控應用於黃光Lens早期汙染預警防護及濾網效率檢測機制
半導體產業按照摩爾定律蓬勃發展,對於無塵室內的溫溼度、氣態分子汙染物等生產環境品質的控管越趨嚴格,影響著製程區域產品良率。廠務端以自動分析儀器對環境進行AMC定點監控已成為各廠標準模式,並輔以人力至現場巡檢。本篇為加強黃...

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點閱 (32)
Vol.39 / 技術專文
Defense Mechanism of Outside Air AMC MeCl2        
外氣AMC MeCl2防禦機制
半導體的線寬越來精細,製程的複雜度越來越高,相對製程良率受外在環境影響的可能性也越來越大,氣態分子汙染物(Airborne Molecular Contamination, AMC) 一直都是受到關注的對象,也因為製程的...

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點閱 (85)
Vol.39 / 技術專文
Local Defense and Reduction of IPA from CWR area
CWR機台IPA逸散減量與區域防禦機制
環境中AMC污染會對產品良率造成影響,先進製程對AMC要求亦更加重視,目前AMC防護中,IPA因為其分子量小、沸點低等特性,AMC濾網的防護較無法持久,為此IPA源頭減量及區域防禦也更加重要,在CWR製程中設備端使用大量...

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