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2022.3, Vol.45 / 技術專文
Hollow Fiber-based TOC Filter
中空纖維TOC濾網 - AMC濾網設備化的新紀元
文 | 曹志明 | 廠務技術發展部 |
針對先進製程區域MAU出口端異丙醇/丙酮極低濃度的規範要求，既有活性碳(Active Carbon)型濾網對異丙醇(Isopropyl Alcohol, IPA)以及丙酮(Acetone)去除效率差且握持量不足，極短的時...

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點閱 (24)
2021.12, Vol.44 / 技術專文
Decreasing COD concentration of effluent by increasing efficiency of Bio-System
實現綠色製造-增進生物系統處理效率達到放流COD減量
文 | 林佑勳 | 台中廠務四部 |
隨著半導體製程的精進，晶圓製程用於防倒線及除水痕異丙醇(IPA)的使用量逐漸上升，N7世代IPA使用量已為N16世代之6倍，在已可觸及的N2世代，IPA用量更可達N16之16倍。對於放流水中化學需氧量濃度，如何能低...

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點閱 (44)
2021.9, Vol.43 / 技術專文
Discussion on The Development Roadmap of Facility Laboratory
探討廠務實驗室發展藍圖
文 | 吳連芳 | 廠務技術發展部 |
在半導體工廠裡廠務扮演極重要的角色，來自供應商的原物料(水、化學品、研磨液、氣體、空氣)，都需經由廠務系統供應至生產線，使用後的廢水、廢酸、廢氣，又須經由廠務系統處理。面對日益精密的製程，廠務系統的品質也必須不斷提...

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點閱 (59)
2020.12, Vol.40 / 技術專文
Improvement and practice of wastewater biological treatment system operation
廢水生物處理系統運轉精進與實務
文 | 楊文守 | 新廠工程管理部 | 邊逢沂 | 南科廠務2廠務二部 |
隨著半導體製程技術演進，製程機台使用的有機化學品用量大增，且單槽式晶圓濕式清洗機台數量增多，此型式機台排水有混排狀況，因此先進製程廠區面臨廢水排放化學需氧量(Chemical Oxygen Demand, COD)以及氨...

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點閱 (47)
2020.12, Vol.40 / 技術專文
Comprehend the characteristics of material and enhance the quality of mixing chemical
掌握原物料特性–精進CR168混酸品質
文 | 李家逢 | 黃玄根 | 南科廠務2廠務二部 |
黃光微影製程為半導體製造技術之瓶頸，主要在於現代科技的進步導致線寬的縮限，為了提高晶圓產能及良率，廠區對於原物料供應品質尤其要求。然而許多原物料也因應製程需求添加額外成分(例如 : CR168界面活性劑)連帶影響本身化學...

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點閱 (25)
2020.12, Vol.40 / 技術專文
Management of Chemical Quality– Calculation Model for the Index of Chemical Filtration Times
化學品品質管理–循環過濾次數指標之計算模式
文 | 劉俊男 | 楊仁毅 | 中科廠務五部 |
本研究提出兩種新型計算模式，用於計算桶裝化學品供應系統(Drum Unit, DU)的循環過濾次數，分別為概略型估算模式(Rough Estimation Mode, REM)及動態型精算模式(Dynamic Calcu...

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點閱 (33)
2020.12, Vol.40 / 技術專文
Management of Waste Chemical from Advanced Process Equipment
先進製程設備機台廢酸排放站前管理
文 | 陳政揚 | 竹科廠務五部 |
半導體先進製程不斷演進，化學品使用越多元，相對設備機台排放的廢酸越複雜，發生混排的機會越高。本篇研究針對設備廢酸站前排放區分兩大主題 : ①管理層面 ②廠務系統強化，並以某先進製程廠廢液IPA含酸為例，裝機前NTCC及S...

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2020.7, Vol.37 / 技術專文
The Protection Strategies of Electromagnetic Interference and Electrostatic Discharge in Advanced Semiconductor Fabs
先進半導體廠電磁干擾與靜電放電之防護策略
文 | 歐人華 | 中科廠務三部 |
本文主要探討在先進半導體廠，電磁干擾與靜電放電對生產的影響，及如何採取合適的防護策略；在電磁干擾部份，將由電磁波、電磁場切入，說明「游離輻射」與「非游離輻射」差異，而在電磁波的防制與改善上，將提出「被動式屏蔽」及「主動式...

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點閱 (120)
2020.7, Vol.37 / 技術專文
OneFAC Benefit Accessing and Future Development
OneFAC效益評估及未來發展對策
文 | 黃昭文 | 竹科廠務一部 |
本文由廠務組織的合併規劃開始，構思OneFAC平台開發的目標設定與規劃，說明OneFAC平台開發的五大主要功能，藉由OneFAC管理人員與使用者的實際操作討論，持續進行系統改版與功能擴充，最後進行使用效益評估，藉由使用者...

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2020.7, Vol.37 / 技術專文
To investigate the Challenge of AAS Systems in tsmc 8"Semiconductor Fab
探討台積電八吋晶圓廠空污處理系統的挑戰
文 | 連上舜 | 竹科廠務二部 |
隨著台灣歷經了多次的空氣污染防制法的修訂與政策變遷，建置時的空污處理設備效率不彰是許多老廠正面臨的問題。如何持續精進空污處理設備以達到公司綠色製造，永續經營的理念是關鍵。本文以台積電首座八吋晶圓製造廠三廠為例，運用KT決...

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2020.6, Vol.36 / 技術專文
Investigation on a Novel Slurry Blending Technology for Advanced Semiconductor
先進半導體製程研磨液之新混酸技術探討
文 | 翁儷瑜 | 張育正 | 王義信 | 新廠設計部 氣體及化學工程課 |
化學機械研磨(CMP)製程是半導體製程中達到全面平坦化(global planarization)的主要關鍵技術。影響化學機械平坦化的因子包含可調節、可稀釋的研磨液(slurry)，以及相匹配的研磨墊(pad)，轉速，下...

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2020.6, Vol.36 / 技術專文
Method and Practice of Chemical Dispense Unit Control System Upgrade without Supply Interruption
化學供應系統之控制單元執行不中斷供應的升級方法與實務
文 | 徐銘傑 | 原物料品質提升課 | 鄭祥龍 | 新廠設計部 氣體及化學工程課 |
隨著半導體製程由N4X演變至N3，廠務化學品供應系統(CDU)也須同步進化，但在2008年建立之舊式化學品供應系統設計已不符現況，且系統供應商部門解散，造成廠務進化的腳步停滯，必須研擬出新的方法突破現況，以符合N3之先進...

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2020.6, Vol.36 / 技術專文
Treatment of Advanced Semiconductor Cobalt Sulfate Wastewater
先進半導體硫酸鈷廢水特性與處理技術探討
文 | 謝文彬 | 中科廠務五部水處理二課 |
由於半導體先進製程演進，化學品使用成分複雜，產生製程廢水處理亦趨困難，其中，硫酸鈷廢水主要來源為ECP(Co)與CMP(Co)製程所產生，且先進半導體鈷金屬放流濃度要求為ng/L(ppb)等級，此為先進半導體製程首次面對...

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2020.6, Vol.36 / 技術專文
High Concentration H2O2 Wastewater Treatment Technology of Semiconductor Assembly
先進封裝廠含高濃度雙氧水廢液處理技術與實務探討
文 | 戴君豪 | 南科廠務二部 氣化三課 | 廖俊凱 | 南科廠務二部 氣化三課 | 黃政道 | 南科廠務一部 技術副理 |
晶圓半導體製造工廠大部分高濃度雙氧水廢液排放至廠務廢水系統進行調勻處理，先進封裝廠區廢水量較晶圓廠區小，若直接排放至廢水系統將造成放流水超標風險。因此需委外處理高濃度雙氧水廢液，對環境與公司營運成本皆造成負面影響。本文藉...

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2020.6, Vol.36 / 技術專文
Discussion and Practice of COD Reduction in Wastewater
外排廢水化學需氧量減量方法探討與實務
文 | 吳世霖 | 南科廠務五部 |
隨著製程技術持續推進，許多新的製程機台以及化學品首次導入，我們發現新建廠區有放流水之 COD 值偏高問題。為解決這個問題，我們一方面進行廠內 COD 污染源之追查，透過源頭分析及查找，發現 IPA 為廢水中 COD 之貢...

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2019.9, Vol.35 / 技術專文
Challenges and Strategies of Air Pollutants Emission Reduction in R&D Fab
研發廠空氣污染物排放減量之挑戰與策略
文 | 黃友元 | 盧銘駿 | 竹科廠務三部 |
空氣污染問題已成為人們日常討論的議題，統計陳情案件，以高科技廠較為集中的新竹科學園區周圍空氣污染問題最多，而空污的來源大多數由未經適當處理的污染物經由煙囪排出。面對民眾生活環境及複雜製程所使用的化學物質，操作者應思...

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